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    AIDE AU POSITIONNEMENT D'UN TRANSPONDEUR
    11.
    发明申请
    AIDE AU POSITIONNEMENT D'UN TRANSPONDEUR 审中-公开
    TRANSPONDER POSITIONING ASSISANCE

    公开(公告)号：WO2012164179A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：PCT/FR2012/050843

    申请日：2012-04-18

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  WUIDART, Luc

    Inventor： WUIDART, Luc

    IPC: G06K19/07

    CPC classification number: H04B1/3816 ,  G06K7/10297 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0723 ,  H04B5/0025

    Abstract: L'invention concerne un procédé d'assistance au positionnement d'un transpondeur électromagnétique (2) vis-à-vis d'un terminal (1) par un utilisateur, dans lequel : une valeur courante d'un rapport entre le facteur de couplage courant entre le transpondeur et le terminal et un facteur de couplage optimum avec une première valeur de charge résistive est calculée et mémorisée; ladite valeur courante est comparée à une valeur précédente de ce rapport, mémorisée lors d'une itération précédente; et des éléments d'information (19') à destination de l'utilisateur sont commandés en fonction de ladite comparaison.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于帮助用户相对于终端（1）定位电磁应答器（2）的方法，包括以下步骤：计算并存储电流耦合器（2）之间的比值的当前值 应答器和终端之间的因子和具有第一电阻负载值的最佳耦合因子; 将所述当前值与先前迭代期间存储的所述比率的先前值进行比较; 以及控制用于用户的信息元素（19'），作为所述比较的功能。

    PROCEDE DE GESTION DE LA COMMUNICATION ENTRE UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET UN APPAREIL DE COMMUNICATION.
    13.
    发明申请
    PROCEDE DE GESTION DE LA COMMUNICATION ENTRE UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET UN APPAREIL DE COMMUNICATION. 审中-公开
    用于管理电子设备与通信设备之间的通信的方法

    公开(公告)号：WO2011160967A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：PCT/EP2011/059706

    申请日：2011-06-10

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  BANCEL, Frédéric ,  LINK, Nathalie ,  HENNEBOIS, Brigitte ,  CHOMAUD, David

    Inventor： BANCEL, Frédéric ,  LINK, Nathalie ,  HENNEBOIS, Brigitte ,  CHOMAUD, David

    IPC: G06K19/07

    CPC classification number: G06K7/10297 ,  G06K7/10138 ,  G06K19/0723 ,  H04L69/08

    Abstract: Le dispositif est équipé de plusieurs moyens de décodage de protocole (DCDi) correspondant respectivement à différents protocoles de communication de façon à être capable de dialoguer avec ledit appareil de communication lors de transactions sélectivement selon l'un de ces protocoles de communication; le procédé comprend une détection automatique de protocole comportant a) une activation (40) de tous les moyens de décodage au début d'une transaction, b) une délivrance du signal reçu par le dispositif électronique à tous les moyens de décodage, c) une analyse (41) d' au moins un signal délivré par au moins l 'un des moyens de décodage et d) une sélection (42) de l'un des moyens de décodage à partir du résultat de ladite analyse, et une poursuite de ladite transaction avec le moyen de décodage sélectionné.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括分别对应于各种通信协议的多个协议解码装置（DCDi）的装置，以便能够根据所述通信协议之一在交易期间与所述通信装置选择性地交互。 该方法包括自动协议检测，其包括：a）在事务开始时激活（40）所有解码装置; b）将由电子设备接收的信号输出到所有解码装置; c）分析（41）由解码装置中的至少一个输出的至少一个信号; 以及d）从所述分析的结果中选择（42）解码装置之一，并且使用所选择的解码装置跟踪所述交易。

    IMAGEUR CMOS COMPRENANT UNE MATRICE DE MICROLENTILLES AYANT UN TAUX DE REMPLISSAGE ELEVE
    14.
    发明申请
    IMAGEUR CMOS COMPRENANT UNE MATRICE DE MICROLENTILLES AYANT UN TAUX DE REMPLISSAGE ELEVE 审中-公开
    包含具有高填充速率的微米矩阵的CMOS成像器

    公开(公告)号：WO2007063202A2

    公开(公告)日：2007-06-07

    申请号：PCT/FR2006/002581

    申请日：2006-11-24

    Applicant: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS ,  UNIVERSITE PAUL CEZANNE AIX MARSEILLE III ,  DUNNE, Bredan ,  FOSSATI, Caroline ,  GAGLIANO, Olivier

    Inventor： DUNNE, Bredan ,  FOSSATI, Caroline ,  GAGLIANO, Olivier

    IPC: G02B3/00 ,  H01L27/146

    CPC classification number: G02B3/0018 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

    Abstract: L'invention, concerne un imageur CMOS comprenant une matrice de photosites et une matrice de microlentilles, dans lequel la matrice de microlentilles comprend des microlentilles d'un premier type (L1) et des microlentilles d'un second type (L2) , les microlentilles du premier type (L1) sont réalisées suivant un premier gabarit circulaire (G1) présentant un premier rayon (R1) , les microlentilles du second type (L2) sont' réalisées suivant un second gabarit circulaire (G2) présentant un second rayon (R2) inférieur au premier rayon (R1) , et les premier (G1) et second (G2) gabarits présentent des zones de recouvrement. Avantage : réalisation d'un imageur CMOS ayant un taux de remplissage élevé.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种CMOS成像器，包括感光单元阵列和微透镜阵列，其中所述微透镜阵列包括第一类型（L1）的微透镜和一个微透镜的 第二类型（L2），所述第一类型（L1）的微透镜都是RéALISéES沿着第一环形模板（G1）PRé感觉的第一半径（R1），第二类型的（L2）微透镜是“RDé 沿着第二环形模板（G2）PRé感觉的第二半径（R2）INFé笑第一半径（R1）和第一（G1）和第二（G2）PRé模板ALISéES;手感重叠区域。 优点：实现了高填充率的CMOS成像器。

    DISPOSITIF DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE
    15.
    发明申请
    DISPOSITIF DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020120847A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：PCT/FR2019/000193

    申请日：2019-11-28

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： BORREL, Nicolas ,  FORT, Jimmy ,  LISART, Mathieu

    IPC: H04L9/32 ,  H03K19/00

    Abstract: Le dispositif de fonction physiquement non clonable (DIS) comprend un ensemble de transistors MOS (TR1i, TR2j) montés en diodes présentant une distribution aléatoire de tensions de seuil respectives, et comportant N premiers transistors et au moins un deuxième transistor. Au moins un nœud de sortie de ladite fonction est capable de délivrer un signal dont le niveau dépend de la comparaison entre un courant obtenu à partir d'un courant circulant dans ledit au moins un deuxième transistor et un courant obtenu à partir d'un courant de référence égal ou sensiblement égal à la moyenne des courants circulant dans les N premiers transistors. Un premier moyen (FM1i) est configuré pour imposer sur chaque premier transistor une tension de grille respective fixe quelle que soit la valeur du courant circulant dans ce premier transistor, et un deuxième moyen (SM2j) est configuré pour imposer sur chaque deuxième transistor une tension de grille respective fixe quelle que soit la valeur du courant circulant dans ce deuxième transistor.

    TRANSMISSION MULTICANAUX SUR UN BUS UNIFILAIRE
    19.
    发明申请
    TRANSMISSION MULTICANAUX SUR UN BUS UNIFILAIRE 审中-公开
    联合总线的多通道传输

    公开(公告)号：WO2010010278A1

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：PCT/FR2009/051418

    申请日：2009-07-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  TAILLIET, François

    Inventor： TAILLIET, François

    IPC: G06F13/42 ,  H04L25/49 ,  H03K7/08

    CPC classification number: G06F13/4295 ,  H04B3/548 ,  H04B14/023 ,  H04B2203/5416 ,  H04L25/4902

    Abstract: L'invention concerne un procédé de transmission d'un signal (S) au moins de synchronisation et de données sur un bus unifilaire entre un dispositif maître et au moins un dispositif esclave, dans lequel un premier canal (C1) de transmission du dispositif maître vers le dispositif esclave module la largeur d'impulsions périodiques entre un premier niveau (V0) et un deuxième niveau (V1) de tension de même signe par rapport à un potentiel de référence, et un deuxième canal (C2) de transmission module en amplitude au moins un des niveaux de tension entre ce niveau et au moins un troisième niveau (V0') différent des deux autres et du potentiel de référence.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在主设备和至少一个从设备之间的单端总线上发送至少同步和数据信号（S）的方法，其中从主设备到从设备的第一传输信道（C1） 相对于参考电位相同符号电压的第一电平（V0）和第二电平（V1）之间的周期性脉冲宽度和第二传输通道（C2）幅度调制所述电平和电平之间的电压电平中的至少一个 至少三分之一（V0'）不同于其他两个参考电位。

    MEMOIRE A STRUCTURE DU TYPE EEPROM ET A LECTURE SEULE
    20.
    发明申请
    MEMOIRE A STRUCTURE DU TYPE EEPROM ET A LECTURE SEULE 审中-公开
    具有EEPROM结构的只读存储器

    公开(公告)号：WO2009147347A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：PCT/FR2009/050868

    申请日：2009-05-12

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  FORNARA, Pascal

    Inventor： FORNARA, Pascal

    IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/02 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C16/00 ,  G11C17/00

    CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11213 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

    Abstract: L'invention concerne une mémoire non volatile (M) comprenant au moins des première et seconde cellules mémoire (CeIIg), comprenant chacune un transistor MOS à double grille (21, 23) de mémorisation (Tg') ayant une couche isolante (22) interposée entre les deux grilles. La couche isolante (22) du transistor de mémorisation (Tg') de la seconde cellule mémoire (CeIIg) comprend au moins une portion (29) moins isolante que la couche isolante du transistor de mémorisation de la première cellule mémoire.

    Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器（M），其包括至少第一和第二存储单元（CeIIg），每个存储单元包括具有双栅极（21,23）和绝缘层（22）的存储MOS晶体管（Tg'） 两门之间。 第二存储单元（CeIIg）的存储晶体管（Tg'）的绝缘层（22）包括与第一存储单元的存储晶体管的绝缘层绝缘性更差的至少一部分（29）。

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