Abstract:
L'invention concerne un procédé de sécurisation d'une communication entre un transpondeur électromagnétique et un terminal, dans lequel l'émission (47) d'une requête d'interrogation (REQ) par le terminal n'est autorisée que lorsque le transpondeur est en contact mécanique ou en quasi contact mécanique avec le terminal.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de détection d'une variation de distance par rapport à un axe d'au moins un point d'un objet tournant autour de cet axe par un terminal (1) à une position fixe par rapport à l'axe (41) et apte à émettre un champ radiofréquence à destination d'au moins un circuit résonnant (2) fixé à l'objet. Ce procédé comprend les étapes consistant à mesurer et enregistrer, côté terminal, une valeur maximum d'une grandeur représentative du couplage entre un circuit oscillant du terminal et ledit au moins un circuit résonnant; et à détecter une variation de ce maximum périodique.
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L'invention concerne un procédé de sécurisation d'une communication entre un transpondeur électromagnétique et un terminal, dans lequel l'émission (49) d'un accusé de réception (ATQ) par le transpondeur à une requête captée d'un terminal n'est autorisée que lorsque le transpondeur est en contact mécanique ou en quasi-contact mécanique avec le terminal.
Abstract:
L'invention concerne un procédé d'assistance au positionnement d'un transpondeur électromagnétique (2) vis-à-vis d'un terminal (1) par un utilisateur, dans lequel : une valeur courante d'un rapport entre le facteur de couplage courant entre le transpondeur et le terminal et un facteur de couplage optimum avec une première valeur de charge résistive est calculée et mémorisée; ladite valeur courante est comparée à une valeur précédente de ce rapport, mémorisée lors d'une itération précédente; et des éléments d'information (19') à destination de l'utilisateur sont commandés en fonction de ladite comparaison.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de récupération d'énergie par un transpondeur électromagnétique dans le champ d'un terminal, dans lequel : un rapport (r) entre le facteur de couplage courant du transpondeur avec le terminal et une position de couplage optimum (k opt]R20 ) avec une valeur (R20) de charge résistive est évalué (65); et un désaccord du circuit oscillant est provoqué si le rapport est supérieur à un premier seuil supérieur ou égal à l'unité.
Abstract:
L'invention concerne un procédé d'assistance au positionnement d'un transpondeur électromagnétique vis-à-vis d'un terminal par un utilisateur, dans lequel : une première valeur (li) du courant dans un circuit oscillant du terminal est périodiquement mesurée; une deuxième valeur d'un rapport entre une valeur à vide (Iv) de ce courant, mémorisée lorsqu'aucun transpondeur n'est dans le champ du terminal, et la première valeur est calculée; et des éléments d'information à destination de l'utilisateur sont commandés en fonction de ladite deuxième valeur.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de gestion de la puissance dans un transpondeur électromagnétique dans le champ d'un terminal, comportant les étapes suivantes : évaluer (40) la consommation des circuits du transpondeur; et si cette consommation est inférieure à un seuil, évaluer le facteur de couplage courant (k) entre le transpondeur et le terminal et, en fonction du couplage courant : provoquer (52) une augmentation de la consommation du transpondeur ou provoquer (50) un désaccord d'un circuit oscillant du transpondeur.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique et son procédé de programmation, comportant un transistor de programmation (MN) en série avec une résistance de programmation (Rp) en silicium polycristallin constituant l'élément de mémorisation, la programmation étant non destructrice de la résistance en silicium polycristallin.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique et son procédé de programmation, comportant un transistor de programmation (MN) en série avec une résistance de programmation (Rp) en silicium polycristallin constituant l'élément de mémorisation, la programmation étant non destructrice de la résistance en silicium polycristallin.