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公开(公告)号：CN108281434A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/14601 , H01L21/77 , H01L27/14603 , H01L27/14625
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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公开(公告)号：CN109728025B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108281434B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116936588A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310380792.9
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN114551485A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111305868.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
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公开(公告)号：CN109728025A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN103323407B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310095254.1
申请日：2013-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/17 , B01L3/5027 , B01L9/527 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , G01N15/1484 , G01N21/7703 , G01N21/7746 , G01N27/44721 , G01N2021/0346 , G01N2021/7793 , G02B2006/12138 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种光学生物传感器，包括：生物感测单元，该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号，该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化；和光谱仪，该光谱仪包括多个环形谐振器，所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
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公开(公告)号：CN103323407A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310095254.1
申请日：2013-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/17 , B01L3/5027 , B01L9/527 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , G01N15/1484 , G01N21/7703 , G01N21/7746 , G01N27/44721 , G01N2021/0346 , G01N2021/7793 , G02B2006/12138 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种光学生物传感器，包括：生物感测单元，该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号，该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化；和光谱仪，该光谱仪包括多个环形谐振器，所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
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