公开(公告)号：CN116936588A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310380792.9

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周熹 ,  任东模 ,  梁至希 ,  李泰宪 ,  林智焄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN116190398A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211510038.4

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿亨 ,  公拮宇 ,  梁至希 ,  李康俊

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件区域，其在衬底中；以及隔离结构，其在从衬底的第一表面到与第一表面相对的第二表面的方向上延伸，在平面图中围绕光电转换器件区域，并且具有与光电转换器件区域的侧表面相邻的第一区域和与光电转换器件区域的每个拐角相邻的第二区域。隔离结构包括：第一隔离层，其分别围绕光电转换器件区域；第二隔离层，其围绕第一隔离层；第一间隙填充图案，其填充第一区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分；以及第二间隙填充图案，其在平面图中填充第二区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分。

公开(公告)号：CN115312552A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210369203.2

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振泳 ,  李泰宪 ,  梁至希

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，并且半导体衬底中具有第一导电类型的光电转换区，光电转换区在第一表面与第二表面之间延伸。第二导电类型的半导体光电转换器件的二维阵列设置在光电转换区内。设置第一网格状隔离区，第一网格状隔离区从第一表面延伸到光电转换区，并且第一网格状隔离区中具有第一导电材料。设置第二网格状隔离区，第二网格状隔离区从第二表面延伸到光电转换区。设置导电接触区，所述导电接触区(i)从第二表面延伸到所述光电转换区的位于所述半导体光电转换器件的二维阵列之外的部分，并且(ii)电接触所述第一网格状隔离区内的所述第一导电材料的一部分。