公开(公告)号：CN119947283A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411521008.2

申请日：2024-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌圭 ,  金振泳 ,  权炳昊 ,  朴多美 ,  林智焄

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；第一像素，其设置在衬底中，第一像素包括第一光电转换区；第二像素，其设为在衬底中邻近于第一像素，第二像素包括第二光电转换区；第一像素中的第一浮置扩散区；第二像素中的第二浮置扩散区；衬底上的绝缘层；以及穿过绝缘层并且连接至第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的第一埋置连接件，其中，第一埋置连接件包括上表面和下表面，第一埋置连接件的上表面处于高于绝缘层的上表面的竖直水平处，并且第一埋置连接件的下表面处于高于或等于绝缘层的下表面的竖直水平处。

公开(公告)号：CN119230609A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410836493.6

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林智焄 ,  金振泳 ,  徐明海 ,  闵诚基 ,  李昌圭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/146 ,  H04N25/62

Abstract: 提供了一种晶体管和一种图像感测装置。所述晶体管可以是双垂直传输晶体管。在一些实施例中，双垂直传输晶体管的栅极可以包括延伸到光电二极管的n型区域的一对极以及将所述成对的极彼此连接的连接部。第一绝缘图案可以设置在极之间和基底上。

公开(公告)号：CN116936588A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310380792.9

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周熹 ,  任东模 ,  梁至希 ,  李泰宪 ,  林智焄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。