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公开(公告)号：CN109873011B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201811423995.7
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K30/60 , H10K30/20 , H10K39/32 , H10K101/30
Abstract: 公开了光电器件和图像传感器及电子设备。所述光电器件包括：第一电极；第一光电转换层，其在所述第一电极上并且包括包含第一p型半导体和第一n型半导体的异质结；第二光电转换层，其在所述第一光电转换层上并且包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的异质结；和在所述第二光电转换层上的第二电极。所述第一光电转换层的峰值吸收波长(λ最大1)和所述第二光电转换层的峰值吸收波长(λ最大2)被包括在共同的光波长谱中，所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱，和所述第二光电转换层的光吸收半宽度(FWHM)比所述第一光电转换层的光吸收FWHM窄。
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公开(公告)号：CN107403867B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710037428.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间，且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p‑n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV‑约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN111477692A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911042488.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0256
Abstract: 本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349992B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN105622573B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201510828964.X
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D345/00 , C07D421/06 , C07D421/12 , C07D333/46 , C07F7/10 , H01L51/46
Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件，所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。在化学式1中，各取代基与具体实施方式中定义的相同：[化学式1]
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公开(公告)号：CN112500423A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010971844.6
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了近红外吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器和电子装置，所述近红外吸收剂包括由化学式1表示的化合物，所述近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器和电子装置可包括所述近红外吸收剂。在化学式1中，X1、X2、Y1、Y2、Ar、Ar1和Ar2与详细的说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN105712993B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201510958624.9
申请日：2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示，所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层，并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中，A、R1‑R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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