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公开(公告)号：CN110120398B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910084606.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 本发明构思涉及一种图像传感器和电子装置。该图像传感器可以包括：光电二极管，在半导体基板内并配置为感测红外波长光谱中的光；光电转换器件，在半导体基板上并配置为感测可见波长光谱中的光；以及滤波元件，配置为选择性地透过红外波长光谱和可见波长光谱的至少一部分。滤波元件可以包括在光电转换器件上的多个滤色器。光电转换器件可以包括彼此面对的成对电极以及在该成对电极之间并配置为选择性地吸收可见波长光谱中的光的光电转换层。滤波元件可以在半导体基板与光电转换器件之间，并且可以选择性地吸收红外光并选择性地透过可见光。
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公开(公告)号：CN106486599A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610634698.1
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/44 , H01L27/307 , H01L51/4273 , H01L51/441 , Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/4253
Abstract: 本发明提供有机光电子器件和图像传感器。有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极、在所述阳极和所述阴极之间的光吸收层、以及在所述阴极和所述光吸收层之间的第一辅助层，所述第一辅助层具有约3.0eV-约4.5eV的能带隙，并且所述阴极的功函和所述第一辅助层的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的差值为约1.5eV-约2.0eV。
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公开(公告)号：CN100438092C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410104923.8
申请日：2004-12-24
Abstract: 本发明提供了一种具有层状结构的氮化物LED，其中依次层叠有基底、n-型覆盖层、活性层、p-型覆盖层和多层欧姆接触层，及其制备方法。在该氮化物LED中，多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中，关于p-型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高，因而表现出好的电流-电压特性。而且，由于透明电极有高的透光性能，因而装置的发光效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN1619853A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103818.2
申请日：2004-09-08
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n－型覆盖层、发光层、p－型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P－型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1606177A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410092115.4
申请日：2004-10-08
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I－V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009158B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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公开(公告)号：CN107056776A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611052537.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/06 , C07D409/06 , C07F7/10 , H01L51/46 , H01L27/30
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D409/06 , C07D421/06 , H01L27/14621 , H01L27/288 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/525 , Y02E10/549 , C07F7/0816 , H01L51/0068 , H01L51/0094
Abstract: 公开用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。其中，在化学式1中，X1、X2、Ar1、Ar2和R1‑R5如说明书中所定义。[化学式1]
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公开(公告)号：CN105566286A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510740633.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/36 , H01L51/46 , H01L27/30
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D333/36 , C09B47/00 , C09B57/008 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0074 , H01L51/008 , H01L51/4253 , H01L51/4293 , H01L51/447 , H01L2251/308
Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示，其中Ar1、Ar2、R1-R4、Ra、p、n和m如说明书中所定义的，所述有机光电器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层。
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公开(公告)号：CN104009158A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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公开(公告)号：CN100474639C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410103818.2
申请日：2004-09-08
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n-型覆盖层、发光层、p-型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P-型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。
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