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公开(公告)号：CN101462718A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810170303.2
申请日：2008-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/04
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B3/0021 , C01B32/15 , C01B32/18 , C01B32/184 , C01B2204/02 , C01B2204/04 , Y02E60/325
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯壳的方法和一种使用该方法制备的石墨烯壳。对有机溶剂和石墨化催化剂的混合物执行第一热处理工艺，以便用从有机溶剂分解的碳对石墨化催化剂进行渗碳。石墨化催化剂为颗粒的形式。在惰性气体氛围或还原性气体氛围下对渗碳石墨化催化剂执行第二热处理工艺，从而在渗碳石墨化催化剂的表面上形成石墨烯壳。
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公开(公告)号：CN101162758A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710096084.3
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。
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公开(公告)号：CN101030600A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710005875.0
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/785 , Y10S977/943
Abstract: 提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。
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公开(公告)号：CN1964076A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610143565.0
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/42348
Abstract: 本发明提供了一种使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括半导体衬底、形成于半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区、和形成于半导体衬底上与第一和第二杂质区接触的栅结构，其中栅结构包括隧穿层、多个形成于隧穿层上的纳米点、和形成于隧穿层和纳米点上的控制绝缘层，且控制绝缘层包括高k介电层。
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公开(公告)号：CN1550274A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043022.2
申请日：2004-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , H01F1/14733 , H01M4/52 , Y10S977/777 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供非磁性镍粉及其制备方法。该镍粉具有非磁性特性和HCP晶体结构。该方法包括(a)将具有FCC晶体结构的镍粉分散在有机溶剂中以制备起始材料分散体；(b)加热该起始材料分散体从而将具有FCC晶体结构的镍粉转变成具有HCP晶体结构的镍粉。本发明的镍粉不显示磁性团聚现象。因此，含有本发明镍粉的用于形成各种电子器件中内电极的浆料能保持很好的分散状态。而且，由该镍粉制成的内电极即使在高频带下也具有低的阻抗值。
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公开(公告)号：CN103996544B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201310538201.2
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 康宁精密素材株式会社
IPC: H01G11/26 , H01G11/86 , H01M4/583 , H01M4/24 , H01M4/26 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/05 , H01M10/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01G11/24 , B82Y99/00 , H01G11/28 , H01G11/36 , H01G11/50 , H01G13/02 , H01M4/04 , H01M4/0471 , H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M4/78 , H01M10/0587 , Y02E60/13 , Y10S977/932 , Y10T29/49115
Abstract: 提供具有卷形式的电极结构、具有该电极结构的电极和电力装置以及制造电极结构的方法。所公开的电极结构具有以下结构：在其中，在其至少一个表面上分散有纳米材料的石墨烯膜以卷形式被卷绕。电极结构可以展现出高电极密度同时确保有利于电解质离子在石墨烯膜的接触面之间扩散的空间。此外，在电极结构被用于电力装置（例如，储能装置诸如超级电容器）的电极中的情形下，与集流器垂直对准的电极结构可以被稳定地保持，因而，可以有利于电解质离子的迁移。
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公开(公告)号：CN101488567B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200810169867.4
申请日：2008-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M4/13 , B82Y30/00 , H01M4/0419 , H01M4/139 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及电极、锂电池、制造电极的方法和涂布电极的分散体。一种电极包括集流器以及设置于集流器上的活性材料层。活性材料层包括结构性网络和活性材料合成物。结构性网络包括碳纳米管和粘合剂的网络。活性材料合成物包括活性材料和极性介质。
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公开(公告)号：CN101047227A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610171137.9
申请日：2006-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种通过控制感生电流量而能够在纳米磁性存储单元中写/读多个数据的纳米磁性存储器件，在根据从第一电极通过纳米磁性存储器件的纳米线到第二电极流动的字线电流而磁纳米点被扰动并重排之后，形成感生电流。且因此，通过提供单元尺寸更小的简化的纳米磁性存储器件，存储器件的尺寸减小且存储器件的密度可以改善。
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公开(公告)号：CN1289245C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410047402.3
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0085 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F1/0018
Abstract: 提供一种制备非磁性镍粉的方法。该方法包括(a)加热包括镍前体化合物和多羟基化合物的混合物以将镍前体化合物还原成面心立方(FCC)晶体结构的镍粉；和(b)加热步骤(a)得到的混合物以将至少部分FCC晶体结构的镍粉转化成六方密堆积(HCP)的晶体结构的镍粉。
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