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公开(公告)号：CN118175910A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311671984.1
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。所述光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，其中所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、红外波长谱、或其任意组合的光，所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，并且所述n型半导体包括由化学式1表示的化合物。对于化学式1的细节如详细的说明书中所描述的。
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公开(公告)号：CN117586269A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311055962.2
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/06 , C07D493/06 , H10K30/60 , H10K59/13 , H10K59/35 , G01N21/31
Abstract: 本发明涉及有机化合物、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。有机化合物由化学式1A或1B表示。在化学式1A和1B中，Ar1、Ar2、R1、R2、n、和m各自与详细的说明书中相同。[化学式1A] [化学式1B]
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公开(公告)号：CN117156917A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310613541.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了嵌入有传感器的显示面板和电子设备，所述电子设备包括所述嵌入有传感器的显示面板。所述嵌入有传感器的显示面板可包括在基板上的光发射元件和光电传感器。所述光发射元件可包括光发射层并且所述光电传感器可包括沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行的光敏层。所述光发射元件和所述光电传感器包括第一公共辅助层的相应部分。所述第一公共辅助层可为沿着所述基板的面内方向且在所述光发射层和所述光敏层的每一个下面连续的。所述光敏层可包括含有氟的p‑型半导体和非富勒烯n‑型半导体。所述非富勒烯n‑型半导体可与所述p‑型半导体形成pn结。
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公开(公告)号：CN103809234A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310548290.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B1/08 , G02F1/1335 , H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/54 , H01L51/56 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L23/14 , C08L67/02 , C08K5/45
CPC classification number: G02B1/04 , C09B31/043 , C09B31/12 , C09B31/14 , C09B31/18 , C09B31/28 , C09B33/00 , G02B5/3033
Abstract: 公开了偏振膜、含其的显示装置、用于其的组合物、及其制法，所述偏振膜包括聚烯烃和二色性染料，其中在所述聚烯烃和所述二色性染料之间的溶解度参数差小于7.4。
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公开(公告)号：CN103809233A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310544956.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B5/305 , C09K19/3491 , C09K19/60 , C09K19/601 , G02B1/08 , G02B5/3016 , G02F1/133533 , G02F2001/133541 , G02F2001/133635 , G02F2001/133638 , G02F2201/38 , G02F2202/043
Abstract: 本发明涉及偏振膜和抗反射膜及显示装置。抗反射膜包括偏振膜和补偿膜，其中所述偏振膜包括聚合物、和多种具有在约380纳米-约780纳米范围内的吸收波长区域的二色性染料，和所述抗反射膜的反射颜色在CIE-Lab色坐标中基本上在-5≤a*≤5和-5≤b*≤5的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117500331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310929614.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。
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公开(公告)号：CN115411070A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210586999.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和显示设备。传感器嵌入式显示面板包括：基板、在所述基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上且包括沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行的光电转换层的光电传感器，其中所述发光元件和所述光电传感器各自包括第一公共辅助层的单独部分和公共电极的单独部分，所述第一公共辅助层为在所述发光层和所述光电转换层上连续延伸的单块材料，所述公共电极在所述第一公共辅助层上且配置为将公共电压施加至所述发光元件和所述光电传感器二者，并且所述光电转换层包括从所述第一公共辅助层起的第一n型半导体层、第二n型半导体层、和p型半导体层的顺序堆叠体。
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公开(公告)号：CN113284914A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110119680.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本公开提供了图像传感器和电子装置。一种图像传感器可以包括：第一光感测器件，在半导体基板上并配置为感测第一波长谱的光；以及第二光感测器件和第三光感测器件，被集成在半导体基板中并配置为分别感测第二波长谱的光和第三波长谱的光。第一光感测器件可以在半导体基板的厚度方向上与第二光感测器件和第三光感测器件中的每个重叠。第二光感测器件和第三光感测器件在该厚度方向上不重叠，并且每个具有上表面、下表面以及在上表面与下表面之间的掺杂区。第三光感测器件包括比第二光感测器件的上表面距半导体基板的上表面更深的上表面以及比第二光感测器件的掺杂区厚的掺杂区。图像传感器可以省略第一光感测器件。
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公开(公告)号：CN109980130A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811553338.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电池壳和包括其的电池。电池壳包括配置成容纳电极组件的容器，其中所述容器包括底壁和多个侧壁，所述底壁和所述多个侧壁被一体化以限定与所述底壁相反的开放侧和限定用于容纳所述电极组件的空间，所述底壁和多个所述侧壁的至少一个包括复合物，所述复合物包括热致液晶聚合物和分散在所述热致液晶聚合物中的纳米粘土，其中所述热致液晶聚合物的主链包括芳族氧羰基重复单元和含有亚烷基部分的重复单元，和所述纳米粘土的至少一部分以剥落的状态存在，且所述复合物的X‑射线衍射图案不呈现与所述纳米粘土对应的本征峰。
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