公开(公告)号：CN107459516B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201710412902.X

申请日：2017-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容硕 ,  权五逵 ,  林允熙 ,  崔惠成 ,  韩文奎 ,  涩谷宽政 ,  陈勇完 ,  柴田胜则

IPC: C07D421/12 ,  C07D421/04 ,  C07D471/04 ,  C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C07D513/14 ,  C07D471/14 ,  C07D421/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  C07D517/04 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 公开了由化学式1表示的化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。在化学式1中，各取代基与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN118546146A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410209397.9

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰溱 ,  金亨柱 ,  南太规 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  涩谷宽政 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  洪慧林

IPC: C07D491/048 ,  H10K30/60 ,  H10K39/34 ,  H10K39/32 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  C07D513/04 ,  C07D409/14 ,  C07D421/14 ,  C07D491/16 ,  C07D495/16 ,  H10K85/60 ,  G01N21/27

Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1至3的任一个表示，并且具有大于或等于约1.55分子/nm3的分子堆积密度。在化学式1至3中，各取代基的定义如说明书中所描述的。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117500331A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310929614.7

申请日：2023-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨柱 ,  许哲准 ,  朴敬培 ,  房非非 ,  徐辉贞 ,  涩谷宽政 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC: H10K59/60 ,  H10K59/12 ,  H10K101/40

Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。

公开(公告)号：CN109694374B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H10K85/40 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN117156906A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310575499.8

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹晟荣 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  房非非 ,  徐辉贞 ,  涩谷宽政 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  崔泰溱 ,  许哲准

IPC: H10K59/13 ,  H10K30/20 ,  H10K59/12 ,  H10K59/35 ,  G06V40/10 ,  G06V10/12

Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和电子设备。传感器嵌入式显示面板包括：在基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上的包括光敏层的光电传感器，其沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行布置，使得所述光敏层和所述发光层在面内方向上至少部分地重叠，其中所述发光元件和所述光电传感器进一步包括第一公共辅助层的单独的相应部分，所述部分设置在所述发光层和所述光敏层各自的下面并且彼此连接以成为在所述发光元件和所述光电传感器之间连续延伸的单块材料，并且所述光敏层包括由化学式1表示的第一半导体以及不包括任何富勒烯并与所述第一半导体形成pn结的第二半导体。

公开(公告)号：CN111196799A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911127111.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D333/78 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 公开了富勒烯衍生物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基。在化学式1中，X、Ar、R1-R3、a、b、和c与详细的说明书中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111196799B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN201911127111.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D333/78 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开了富勒烯衍生物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基。在化学式1中，X、Ar、R1‑R3、a、b、和c与详细的说明书中所定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN109942529B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201811464011.X

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  石井宽人 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D307/94 ,  C07D209/96 ,  C07D333/78 ,  C07D345/00 ,  C07F7/08 ,  C07C13/72 ,  C23C14/12 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60

Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1‑R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN111952452A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010411126.3

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  白铁 ,  松尾豊 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  申智琇 ,  李启滉 ,  崔容硕 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1-R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN109942529A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811464011.X

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  石井宽人 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D307/94 ,  C07D209/96 ,  C07D333/78 ,  C07D345/00 ,  C07F7/08 ,  C07C13/72 ,  C23C14/12 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1-R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]