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公开(公告)号：CN103219040B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201310021664.1
申请日：2013-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示范性实施例，一种非易失性存储器件：第一存储单元，被配置成存储第一数据样式；第二存储单元，被配置成被使用编程电压编程；和，耦合编程控制单元。耦合编程控制单元可以被配置成执行用于验证第一存储单元是否被利用第一数据样式编程的验证操作。所述验证操作可以给第一存储单元提供对应于第一数据样式的验证电压。耦合编程控制单元可以被配置成当第一存储单元上的验证操作指示通过时结束编程第二存储单元。
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公开(公告)号：CN119496785A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410449518.7
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/1095 , H04L49/10 , H04L49/90
Abstract: 提供了使数据同步的网络装置、系统和操作CXL交换装置的方法。各种示例实施例可包括用于使数据同步的操作网络装置的方法、包括操作网络装置的计算机可读指令的非暂时性计算机可读介质、包括网络装置的系统和/或计算快速链路(CXL)交换装置。一种基于CXL的系统包括：多个CXL处理装置，其被配置为基于输入矢量数据和子矩阵执行矩阵乘法计算，并且基于矩阵乘法计算的结果输出至少一个中断信号和至少一个数据包，至少一个数据包包括输出矢量数据和与输出矢量数据相关联的特性数据；以及CXL交换装置，其被配置为：使输出矢量数据同步，该同步包括基于中断信号和数据包对输出矢量数据执行计算操作；并且向多个CXL处理装置提供经同步的矢量数据。
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公开(公告)号：CN118298876A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311413300.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 提供了非易失性存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：接收读取命令；在字线设置时段期间将对多条未选接地选择线施加的电压从关断电压增大到接通电压；对与第一工艺特性相对应的第一选定接地选择线施加第一电压，直到所述字线设置时段内的第一时间；在所述字线设置时段内的所述第一时间之后，对所述第一选定接地选择线施加第二电压；对与第二工艺特性相对应的第二选定接地选择线施加所述第一电压，直到所述字线设置时段内早于所述第一时间的第二时间；以及在所述字线设置时段内的所述第二时间之后，对所述第二选定接地选择线施加所述第二电压。
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公开(公告)号：CN109285848B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810503286.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN109728013B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811215139.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164904B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN116507127A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211407915.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/41 , H10B41/35 , H10B43/35 , H10B80/00 , H01L25/065
Abstract: 公开了半导体装置和半导体封装件。所述半导体装置包括：半导体基底，包括堆叠区域和垫区域；外围电路结构，包括在半导体基底上的多个外围电路；单元阵列结构，在外围电路结构上；以及再分布层，在单元阵列结构上并且包括再分布介电层和在再分布介电层上的再分布图案。再分布介电层覆盖单元阵列结构的最上面的导电图案。再分布图案连接到最上面的导电图案。再分布层在垫区域上的在竖直方向上的厚度大于再分布层在堆叠区域上的在竖直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN108122588B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201711203890.6
申请日：2017-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴商秀
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元的单元阵列；电压生成器，配置为向选择的存储器单元的字线提供编程电压或验证电压；页缓冲器，配置为通过位线传送要编程在选择的存储器单元中的写入数据，并且基于验证电压感测选择的存储器单元是否被编程为目标状态；以及控制逻辑，配置为控制电压生成器，使得在编程操作期间以循环为单元将编程电压和验证电压提供给字线，控制逻辑包括循环状态电路，其被配置为从页缓冲器的感测结果检测与目标状态关联的状态通过循环的值，并且基于该值来确定编程操作是否成功，每个状态通过循环是这样的编程循环，其后对应于与其关联的目标状态的存储器单元的编程状态已提升到与其关联的目标状态。
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公开(公告)号：CN116137170A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211433556.0
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置包括：衬底；第一单元串、第二单元串和第三单元串，它们均连接至第一位线，并且在垂直于衬底的顶表面的方向上形成；第一上地选择线，其连接至第一单元串并且被配置为接收第一地选择信号；第二上地选择线，其与第一上地选择线分离，连接至第二单元串和第三单元串，并且被配置为接收与第一地选择信号不同的第二地选择信号；第一下地选择线，其连接至第一单元串和第二单元串，并且被配置为接收第三地选择信号；以及第二下地选择线，其与第一下地选择线分离，连接至第三单元串，并且被配置为接收与第三地选择信号不同的第四地选择信号。
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公开(公告)号：CN113808650A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110289033.2
申请日：2021-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲电路，通过多条位线与存储器单元阵列连接，并且在感测时间期间执行通过所述多条位线感测从所述多个存储器单元选择的存储器单元的感测操作；输入/输出电路，执行通过数据线将数据从页缓冲电路输出到外部装置的数据输出操作；以及感测时间控制电路，当在感测时间期间执行数据输出操作时调整感测时间。
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