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公开(公告)号：CN1716059A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510076638.4
申请日：2005-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极和栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层；在有机半导体层上沉积保护层；在保护层上形成光阻剂，该光阻剂具有正性光敏性；用光阻剂作为蚀刻掩膜蚀刻保护层和有机半导体层；在保护层、数据线和漏电极上形成钝化层，该钝化层具有露出部分漏电极的接触孔；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极与漏电极经接触孔电连接。
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公开(公告)号：CN109309160B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K101/40 , H10K101/30
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN109309160A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810762263.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN108428795A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/28158 , H01L27/3274 , H01L29/41733 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/055 , H01L51/0512 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN100547824C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200510121640.9
申请日：2005-12-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 财团法人索尔大学校产学协力财团
CPC classification number: H01L21/02118 , C08B37/0006 , H01L21/312 , H01L27/3244 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开一种绝缘膜，包含它的薄膜晶体管阵列面板及其制备方法。根据本发明实施方案的绝缘膜具有化学式1，式中R彼此相同或不同并具有化学式2，m是整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937276A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610138902.7
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的有机半导体层；源极；和漏极，其中所述源极和所述漏极夹置于所述绝缘基板和所述有机半导体层之间，且从彼此分开以在其之间界定沟道区，所述沟道区偏置于其中形成所述有机半导体层的区域的一侧。
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公开(公告)号：CN1909260A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610099327.4
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533
Abstract: 本申请涉及一种显示装置，包括：绝缘基板；源电极和漏电极，在绝缘基板上，并被沟道区隔开；有机半导体层，在沟道区内以及在源电极的至少一部分和漏电极的至少一部分上形成；以及自组装单层，具有设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分，以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。因此，本发明的实施例提供了包括性能增强的TFT的显示装置。
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公开(公告)号：CN1905233A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108116.2
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含氟聚合物形成；和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外，本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。
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公开(公告)号：CN107646095A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201580080243.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 配置成改善电子设备的发送和接收性能的显示组件包括：第一面板；设置成与所述第一面板相对的第二面板；以及天线层，其设置在所述第一面板和所述第二面板之间并且包括通过压印方法形成的树脂层，其中所述树脂层包括：形成于一个表面中的压花图案；和用填充在所述压花图案中的导电材料形成的墨层。
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公开(公告)号：CN1797164B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200510087991.2
申请日：2005-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/167
Abstract: 本发明提供了一种电泳显示器，该电泳显示器包括：包括具有多个源极电极和多个漏极电极的多条数据线的薄膜晶体管阵列面板，至少覆盖部分源极电极和漏极电极并设置在源极电极和漏极电极之间的多个有机半导体岛，形成在有机半导体岛上的多个栅极绝缘体，包括多个设置在栅极绝缘体上的多个栅极电极的多条栅线，以及连接到漏极电极的多个像素电极；朝向薄膜晶体管阵列面板并具有公共电极的公共电极面板；以及多个包含多个负颜料颗粒和正颜料颗粒并设置在薄膜晶格管阵列面板和公共电极面板的多个微胶囊。
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