公开(公告)号：CN104777659B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201410748621.8

申请日：2014-12-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 郑在胜 ,  金东郁 ,  朴俊勇 ,  申俸受 ,  李大荣 ,  李性勋 ,  赵国来 ,  咸硕圭

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明提供了单元内偏振器、液晶显示器以及制造液晶显示器的方法。液晶显示器包括：光源单元；第一基板，提供在光源单元上；电极层，提供在第一基板上；第二基板，与电极层分离；偏振片，提供在第二基板的表面上；液晶层，设置在电极层和第二基板之间；反射单元，提供在第一基板的表面上；以及线栅偏振器，提供在第一基板的相反表面上。

公开(公告)号：CN104777659A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410748621.8

申请日：2014-12-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司

Inventor： 郑在胜 ,  金东郁 ,  朴俊勇 ,  申俸受 ,  李大荣 ,  李性勋 ,  赵国来 ,  咸硕圭

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明提供了单元内偏振器、液晶显示器以及制造液晶显示器的方法。液晶显示器包括：光源单元；第一基板，提供在光源单元上；电极层，提供在第一基板上；第二基板，与电极层分离；偏振片，提供在第二基板的表面上；液晶层，设置在电极层和第二基板之间；反射单元，提供在第一基板的表面上；以及线栅偏振器，提供在第一基板的相反表面上。

公开(公告)号：CN108428795B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201810126979.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸硕圭 ,  朴正一 ,  尹英俊 ,  金周永 ,  李容旭

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/82 ,  H10K10/84 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。

公开(公告)号：CN113218814A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110006200.8

申请日：2021-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权福顺 ,  郑暎锡 ,  金周永 ,  李敦旭 ,  咸硕圭

IPC: G01N9/00 ,  G01N9/24 ,  G03F7/20 ,  C08J3/24 ,  C08J3/28 ,  C08J5/18 ,  C08L53/02 ,  C08K5/28 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

Abstract: 公开了测量原位交联密度的装置和方法、曝光设备、交联产物、其制法、聚合物膜和电子器件，所述测量原位交联密度的装置包括配置成固定或支撑能交联的结构的支撑板、配置成将用于交联的光照射到所述能交联的结构的光源、和配置成向所述能交联的结构提供原位微变形的探针，其中由通过所述原位微变形的所述能交联的结构的应力‑应变相位滞后测量所述能交联的结构的原位交联密度。

公开(公告)号：CN109309160B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810762263.4

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔雅净 ,  咸硕圭 ,  朴正一 ,  李容旭 ,  郑钟元

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  H10K101/40 ,  H10K101/30

Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。

公开(公告)号：CN109309160A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810762263.4

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔雅净 ,  咸硕圭 ,  朴正一 ,  李容旭 ,  郑钟元

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 公开了薄膜晶体管、包括其的电子器件、和其制造方法。所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极、和漏电极。所述半导体层与所述栅电极重叠。所述源电极和所述漏电极电连接至所述半导体层。所述半导体层包括包含第一有机半导体材料的第一半导体层和包含第二有机半导体材料的第二半导体层。所述第二半导体层相比于所述第一半导体层与所述栅电极间隔得更远。所述第二有机半导体材料的HOMO能级不同于所述第一有机半导体材料的HOMO能级。

公开(公告)号：CN108428795A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810126979.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸硕圭 ,  朴正一 ,  尹英俊 ,  金周永 ,  李容旭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/28158 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。