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公开(公告)号：CN1622348A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410031246.1
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种用于形成高质量欧姆接触的技术，其可用于制备使用氮化镓(GaN)半导体的发射蓝绿可见光和紫外光的短波发光二极管(LED)，及激光二极管(LD)。通过在P－型氮化镓半导体的顶部沉积镍(Ni)基固溶体可以形成欧姆接触。如此形成的欧姆接触，由于在氮化镓层表面附件的有效载流子浓度的提高而具有优异的伏安特性和低的接触电阻率，以及在短波区域内的高透射率。
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公开(公告)号：CN107056776B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201611052537.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/06 , C07D409/06 , C07F7/10 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 公开用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。其中，在化学式1中，X1、X2、Ar1、Ar2和R1‑R5如说明书中所定义。[化学式1]
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公开(公告)号：CN105712993B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201510958624.9
申请日：2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示，所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层，并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中，A、R1‑R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN110120398A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910084606.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 本发明构思涉及一种图像传感器和电子装置。该图像传感器可以包括：光电二极管，在半导体基板内并配置为感测红外波长光谱中的光；光电转换器件，在半导体基板上并配置为感测可见波长光谱中的光；以及滤波元件，配置为选择性地透过红外波长光谱和可见波长光谱的至少一部分。滤波元件可以包括在光电转换器件上的多个滤色器。光电转换器件可以包括彼此面对的成对电极以及在该成对电极之间并配置为选择性地吸收可见波长光谱中的光的光电转换层。滤波元件可以在半导体基板与光电转换器件之间，并且可以选择性地吸收红外光并选择性地透过可见光。
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公开(公告)号：CN107039472A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610948687.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14685 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。电子装置可以包括至少一个图像传感器，该图像传感器包括：多个光感测器件；光电器件，在半导体基板的一侧并配置为选择性地感测第一可见光；以及多个滤色器，分别在相应的光感测器件上。该多个滤色器可以包括：第一滤色器，配置为选择性地透射不同于第一可见光的第二可见光；和第二滤色器，透射包括第二可见光的第一混合光。该电子装置可以包括多个滤色器单元阵列。该电子装置可以包括在不同的滤色器单元阵列上的不同光电器件。不同的光电器件可以配置为感测不同波长谱的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105712993A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510958624.9
申请日：2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示，所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层，并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中，A、R1-R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN100517774C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410031246.1
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种用于形成高质量欧姆接触的技术，其可用于制备使用氮化镓(GaN)半导体的发射蓝绿可见光和紫外光的短波发光二极管(LED)，及激光二极管(LD)。通过在P-型氮化镓半导体的顶部沉积镍(Ni)基固溶体可以形成欧姆接触。如此形成的欧姆接触，由于在氮化镓层表面附件的有效载流子浓度的提高而具有优异的伏安特性和低的接触电阻率，以及在短波区域内的高透射率。
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公开(公告)号：CN100442548C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1638163A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103926.X
申请日：2004-12-23
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0095
Abstract: 提供一种倒装片发光二极管(FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积n型覆层、活性层、p型覆层和反射层而形成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的银合金形成的。根据所提供的FCLED及其制造方法，提高热稳定性来提高p型覆层的电阻性接触特性，因此当封装所提供的FCLED时提高引线接合效率和产量。另外，由于低特定接触电阻和优良的电流电压特性，提高了所提供的FCLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1622349A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095820.X
申请日：2004-11-26
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种倒装芯片型发光器件及其制造方法。所述倒装芯片型发光器件包括衬底、n型覆层、有源层、p型覆层、由掺杂了锑、氟、磷、砷中至少一种的氧化锡形成的欧姆接触层、以及由反射材料形成的反射层。根据所述倒装芯片型发光器件及其制造方法，通过应用具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流－电压特性和耐久性。
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