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公开(公告)号：CN101106135A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101038.8
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种以多位模式操作非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件可以以低操作电流操作并可以高度集成，其中第一掩埋电极用作第一位线，第二掩埋电极用作第二位线，栅电极用作字线。该方法包括编程2位数据到第一和第二电阻层；以及读取编程在该第一和第二电阻层中的该2位数据。
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公开(公告)号：CN101038923A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085478.9
申请日：2007-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种不易受读干扰且具有改善的短沟道效应的非易失存储器件及其制造方法。该非易失存储器件可以包括具有主体和鳍对的半导体衬底。桥绝缘层可以非电连接鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺，其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。该非易失存储器件还可以包括至少一个控制栅电极，覆盖所述鳍对的外表面的至少一部分，在所述桥绝缘层上方延伸，且从所述半导体衬底隔离。至少一对栅绝缘层可以位于所述控制栅电极和所述鳍对之间，且至少一对存储节点可以位于所述至少一对栅绝缘层和至少一个控制栅电极之间。
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公开(公告)号：CN1893079A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100116.8
申请日：2006-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/04 , H01L21/8238 , H01L21/8244 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/1211 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种鳍式FET CMOS器件及其制造方法，以及具有所述鳍式FETCMOS器件的存储器。所述CMOS器件包括：衬底；设置在所述衬底上的n型晶体管；设置在n型晶体管上的层间绝缘层；以及设置在所述层间绝缘层上的p型晶体管。所述n型晶体管和p型晶体管具有公共栅极绝缘层和鳍式栅极。
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公开(公告)号：CN101329914B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN200810110170.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
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公开(公告)号：CN101373637B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810134074.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置，所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极；将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极；将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101211661B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710300427.3
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C2211/5642
Abstract: 提供一种多级半导体存储装置及其编程方法，在示例性实施例中，将n比特数据编程到半导体存储装置的方法可包括：从第一锁存器输出已写入存储单元的所述数据的第一比特；将所述数据的第一比特存储到第三锁存器；将所述数据的第二比特存储到第一锁存器；从第一锁存器输出所述数据的第二比特；将所述数据的第二比特存储到第二锁存器；参照存储在第三锁存器中的所述数据的第一比特的数据存储状态，将存储在第二锁存器中的所述数据的第二比特写入存储单元。
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公开(公告)号：CN1949391B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610092684.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。
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公开(公告)号：CN1963946B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610091210.1
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C16/0416 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN100557820C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610054967.3
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L27/10823 , H01L27/10826 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/11507 , H01L27/2436 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种利用该半导体器件的随机存取存储器(RAM)，该半导体器件利用了SOI结构的优点，同时控制着主体偏压并具有高的工作电流和低的接触电阻的高性能。该半导体器件包括：在半导体衬底上以成对鳍形成的一对沟道区；对应于所述一对沟道区的栅电极；并行电连接到形成于所述一对鳍的每个上的源极的源极接触插塞；以及并行电连接到所述漏极的漏极接触插塞。该半导体器件还可以包括所述漏极接触插塞上的存储节点，或者位于所述沟道区和栅电极之间的存储节点。
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公开(公告)号：CN101329914A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810110170.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
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