公开(公告)号：CN118116900A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311543364.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东熙 ,  金洛焕 ,  金桢益 ,  申忠桓

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底上的中间绝缘结构、穿过中间绝缘结构并从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第一垂直长度的第一接触结构、以及穿过中间绝缘结构的第二接触结构。中间绝缘结构可以具有在第一垂直水平处沿横向方向延伸的顶表面。第二接触结构可以从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸大于第一垂直长度的第二垂直长度。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以具有可在远离衬底的方向上凸出的第二顶表面。

公开(公告)号：CN108346619A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067806.0

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  姜池远 ,  申忠桓 ,  李琎一 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。