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公开(公告)号：CN106683692A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610952159.2
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元，页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作。预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为在预期的操作期间在对位线进行预充电之后根据温度来不同地控制位线调试时间。控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期和/或包括基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号来确定位线调试时间。
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