-
-
公开(公告)号：CN117789781A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311217496.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括具有多级结构的页缓冲器电路，其中多级结构的一级包括高电压区、第一低电压区和第二低电压区。高电压区包括连接到第一至第六位线中的一条的第一高电压晶体管和连接到第七至第十二位线中的一条的第二高电压晶体管，第一低电压区包括连接到第一高电压晶体管的第一晶体管，第二低电压区包括连接到第二高电压晶体管的第二晶体管。第一低电压区和第二低电压区中的每个具有与六条位线的节距相对应的第一宽度，高电压区具有与十二条位线的节距相对应的第二宽度。
-
公开(公告)号：CN117715433A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311160849.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括外围电路结构和单元阵列结构。外围电路结构包括电路基板、外围电路、覆盖电路基板和外围电路的第一绝缘层、以及第一接合焊盘。单元阵列结构包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的绝缘结构、在第一表面上的导电板、在导电板上的存储单元阵列、第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的第二接合焊盘、在第二表面上彼此间隔开的第一布线和第二布线、穿过绝缘结构并将导电板连接到第一布线的导电通路、以及将第一布线电连接到第二接合焊盘的接触结构。第一接合焊盘与第二接合焊盘接触。
-
公开(公告)号：CN109273028A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810784989.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。
-
公开(公告)号：CN117890741A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310841960.X
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 实施例提供了一种测试元件组(TEG)电路，包括：第一焊盘，被配置为接收要供应的测试电压；放大器，包括连接到第一焊盘的第一输入端子、连接到测试晶体管的第一端子的第二输入端子、以及电连接到第二输入端子的输出端子；可变电阻器，包括连接到放大器的输出端子的一个端子和连接到测试晶体管的第一端子的另一端子；以及栅极驱动电路，向测试晶体管的栅极供应栅极电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106251899B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201610408931.4
申请日：2016-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，其包括：基底；多个存储器单元，在垂直于基于的方向上堆叠；字线，连接到存储器单元；地选择晶体管，在存储器单元与基底之间；地选择线，连接到地选择晶体管；位线，在存储器单元上；以及串选择晶体管，在存储器单元与位线之间。在擦除操作中，在擦除电压提供到基底之后经过特定时间的时刻使地选择线浮置，地选择线根据温度在不同时刻浮置。
-
公开(公告)号：CN106251899A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610408931.4
申请日：2016-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/14 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/30 , G11C29/028
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，其包括：基底；多个存储器单元，在垂直于基于的方向上堆叠；字线，连接到存储器单元；地选择晶体管，在存储器单元与基底之间；地选择线，连接到地选择晶体管；位线，在存储器单元上；以及串选择晶体管，在存储器单元与位线之间。在擦除操作中，在擦除电压提供到基底之后经过特定时间的时刻使地选择线浮置，地选择线根据温度在不同时刻浮置。
-
公开(公告)号：CN117545276A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310968130.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/41 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/23 , H10B41/23 , G11C5/06 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C5/02
Abstract: 本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在一些实施例中，非易失性存储器设备包括：多个存储器块、多个通道晶体管块、以及在半导体衬底上方在栅极区域中沿水平方向顺序排列的多个栅极。多个通道晶体管块中的每一个包括被配置为将多个驱动信号传送到多个存储器块中的相应存储器块的多个串行栅极晶体管。多个串行栅极晶体管中的每一个包括在半导体衬底处沿水平方向顺序排列的第一源极‑漏极区域、栅极区域和第二源极‑漏极区域。多个栅极彼此电去耦。分别施加到多个栅极的多个块选择信号彼此独立地控制。
-
公开(公告)号：CN109273028B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810784989.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。
-
公开(公告)号：CN106683692B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610952159.2
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元，页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作。预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为在预期的操作期间在对位线进行预充电之后根据温度来不同地控制位线调试时间。控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期和/或包括基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号来确定位线调试时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.035 seconds)
