-
-
公开(公告)号：CN111403427A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201911116541.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。
-
公开(公告)号：CN110113547A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201811465182.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了图像传感器、电子装置以及控制图像处理装置的方法。所述电子装置包括：图像传感器，所述图像传感器包括配置为生成并输出像素图像的图像生成器、配置为处理像素图像的图像处理装置，以及配置为存储像素图像的存储单元；和应用处理器，所述应用处理器配置为生成模式设置信号，并且配置为将生成的模式设置信号发送至所述图像处理装置。图像处理装置配置为基于模式设置信号生成多个路径选择信号，所述多个路径选择信号用于选择图像处理装置用于处理像素图像的路径。图像处理装置基于用户的输入信号、像素图像的分析结果和图像传感器的运动信号中的至少一个来选择像素图像的压缩率，并基于选择的压缩率来压缩像素图像。
-
公开(公告)号：CN109728013A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811215139.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430389B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
-
公开(公告)号：CN111081725B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
-
公开(公告)号：CN115995474A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211267956.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。
-
公开(公告)号：CN115132766A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210116471.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第一表面垂直地延伸并限定多个像素区的第一沟槽中；以及第二像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第二表面垂直地延伸的第二沟槽中。第二像素隔离结构与第一像素隔离结构重叠。第一像素隔离结构包括：衬里半导体图案，其将间隙区限定在第一沟槽中，衬里半导体图案包括侧壁部分和连接侧壁部分的底部部分；衬里绝缘图案，其设置在衬里半导体图案和半导体衬底之间；以及封盖绝缘图案，其设置在衬里半导体图案的间隙区中。
-
公开(公告)号：CN109547671B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201710868501.5
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种图像传感器、相机模块以及成像设备。所述图像传感器包括：图像获取器，被配置为通过将接收的光转换成电信号来生成图像信息；第一检测器，被配置为检测关于图像获取器获取图像信息的第一时间的第一时间信息；第二检测器，被配置为接收指示图像获取器的运动的多条运动信息，并且检测关于所述多条运动信息中的至少一条运动信息被接收的第二时间的第二时间信息。单个端口，被配置为输出图像信息、第一时间信息，从所述多条运动信息中选择的输出运动信息以及关于输出运动信息的第二时间信息。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.032 seconds)
