-
公开(公告)号：CN111146218A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911068784.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔离膜，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括掩埋导电层和绝缘衬垫，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，绝缘衬垫在掩埋导电层和半导体基板之间，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。
-
公开(公告)号：CN107393960A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710294745.7
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金振均
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/0217 , H01L21/2253 , H01L21/31111 , H01L21/31155 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66666
Abstract: 本发明构思涉及垂直场效应晶体管及其制造方法。一种制造垂直场效应晶体管的方法提供如下。具有侧壁的鳍结构形成在衬底上。下间隔物、栅极图案和上间隔物分别围绕下侧壁区域、中间侧壁区域和上侧壁区域。下间隔物、栅极图案和上间隔物沿鳍结构的侧壁彼此垂直堆叠。为形成下间隔物，初始间隔物层形成为围绕鳍结构的下侧壁区域；通过使用定向掺杂工艺在初始间隔物中部分地掺杂杂质而在初始间隔物层中形成掺杂区域和未掺杂区域；以及去除初始间隔物层的未掺杂区域使得初始间隔物层的掺杂区域保留以形成下间隔物。
-
公开(公告)号：CN117438439A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310428047.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的衬底、与所述第二表面接触的固定电荷层、覆盖所述第一表面的层间电介质层、在所述衬底中与所述第一表面相邻的器件隔离部以及位于所述衬底中的像素隔离部。所述像素隔离部包括导电图案、掩埋电介质图案以及同时与所述固定电荷层和所述层间电介质层接触的隔离电介质图案。所述隔离电介质层在所述掩埋电介质图案和所述导电图案之间的界面的水平高度处具有第一厚度。所述隔离电介质层在所述固定电荷层的底表面的水平高度处具有第二厚度。所述第二厚度不同于所述第一厚度。
-
公开(公告)号：CN108538847A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810373088.X
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种制造三维半导体存储装置的方法，所述方法包括：形成包括交替且重复地堆叠在基板上的牺牲层和绝缘层的多层结构；形成贯穿多层结构的开口，使得开口暴露基板；形成填充开口的下区域的下半导体层；在具有下半导体层的开口中形成竖直绝缘件和上半导体图案；将多层结构图案化以形成暴露基板的沟槽，使得沟槽与开口分隔开；去除被沟槽暴露的牺牲层以形成多个栅极区域；选择性地蚀刻被所述多个栅极区域中的至少最下方的栅极区域暴露的下半导体层，以形成具有凹进侧壁的下半导体图案；以及分别在所述多个栅极区域中形成栅极图案，其中，形成下半导体层的步骤包括将被开口暴露的基板用作种子来执行选择性外延生长工艺。
-
公开(公告)号：CN102290420A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164554.1
申请日：2011-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 一种垂直半导体器件及其制造方法，包括在衬底上形成的第一半导体图案以及在第一半导体图案的侧壁上形成的第一栅结构。在第一半导体图案上形成第二半导体图案。在第二半导体图案的侧壁上形成多个层间绝缘层图案。层间绝缘层图案被彼此间隔开以在层间绝缘层图案之间限定沟槽。多个第二栅结构被分别设置在沟槽中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1949518A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610126608.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/532 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02118 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/02362 , H01L21/318 , H01L27/10885
Abstract: 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。
-
公开(公告)号：CN111430389B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
-
公开(公告)号：CN117995857A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311443165.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：基板，包括第一表面以及与第一表面相反的第二表面；以及在基板中的像素分离部，像素分离部将多个像素彼此分离，所述多个像素包括在顺时针方向上的第一至第四像素，像素分离部包括在第一像素和第二像素之间的第一部分以及在第一像素和第三像素之间的第二部分。第一部分和第二部分中的每个包括覆盖基板的侧表面的第一电介质图案以及覆盖第一电介质图案的侧表面的第一硅图案。第二部分还包括与第一硅图案的侧壁相邻的第二硅图案。第二硅图案在俯视图中具有菱形形状。
-
公开(公告)号：CN111430389A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
-
公开(公告)号：CN102280412A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110166792.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供一种垂直半导体器件及其制造方法。在垂直半导体器件以及制造垂直半导体器件的方法中，在衬底上重复且交替地堆叠牺牲层和绝缘间层。所述牺牲层包含硼(B)和氮(N)并且相对于所述绝缘间层具有蚀刻选择性。半导体图案被形成在所述衬底上、通过所述牺牲层和所述绝缘间层。在所述半导体图案之间至少部分地去除牺牲层和绝缘间层，以在所述半导体图案的侧壁上形成牺牲层图案和绝缘间层图案。去除所述牺牲层图案，以在所述绝缘间层图案之间形成沟槽。所述沟槽暴露所述半导体图案的部分侧壁。在所述沟槽中的每个沟槽中形成栅结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.072 seconds)
