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公开(公告)号：CN118175910A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311671984.1
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。所述光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，其中所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、红外波长谱、或其任意组合的光，所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，并且所述n型半导体包括由化学式1表示的化合物。对于化学式1的细节如详细的说明书中所描述的。
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公开(公告)号：CN117156917A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310613541.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了嵌入有传感器的显示面板和电子设备，所述电子设备包括所述嵌入有传感器的显示面板。所述嵌入有传感器的显示面板可包括在基板上的光发射元件和光电传感器。所述光发射元件可包括光发射层并且所述光电传感器可包括沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行的光敏层。所述光发射元件和所述光电传感器包括第一公共辅助层的相应部分。所述第一公共辅助层可为沿着所述基板的面内方向且在所述光发射层和所述光敏层的每一个下面连续的。所述光敏层可包括含有氟的p‑型半导体和非富勒烯n‑型半导体。所述非富勒烯n‑型半导体可与所述p‑型半导体形成pn结。
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公开(公告)号：CN115872990A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211209999.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07D517/22 , C07F7/08 , C07F7/30 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K30/60
Abstract: 公开有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述有机化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Ar1、n、R1、R2、A1和A2各自与说明书中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN117956861A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311412371.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K101/40
Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板、传感器和电子设备。所述显示面板可包括在基板上的包括光发射层的光发射元件和包括光敏层的传感器。所述光发射元件和所述传感器各自可包括第一和第二公共辅助层的相应的部分，所述第一和第二公共辅助层可作为单块材料在所述光发射层和所述光敏层下面和上面连续地形成。所述第一和第二公共辅助层分别可包括空穴传输材料和电子传输材料。所述光敏层可包括分别靠近于所述第一和第二公共辅助层的第一和第二半导体层。所述第一和第二半导体层分别可包括p型半导体和n型半导体。所述第二半导体层可具有面对所述第二公共辅助层的不均匀表面并且可具有大于或等于约5nm的平均粗糙度(Rq)。
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公开(公告)号：CN115677470A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210909618.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C49/683 , C07C255/40 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07D409/06 , C07D409/14 , C07D421/04 , C07D421/06 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K59/35 , H10K39/34 , H10K30/60 , H10K50/125
Abstract: 公开化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，G、R1、R2、R3、X1、Ar1和Ar2各自与说明书中相同。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114627947A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111087817.3
申请日：2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据；读取路径单元，被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。
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公开(公告)号：CN118852198A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410514235.6
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , C07D495/22 , C07F7/10 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/60 , H10K39/32
Abstract: 提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各基团的定义如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118546157A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410207623.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D513/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1表示并且具有小于约0.163eV的化合物的重组能和小于或等于约495nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各取代基的限定如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117939899A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311396769.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开传感器、传感器阵列、显示面板和电子设备。所述传感器可包括反射性电极、在所述反射性电极上并且包括一种或多种光电转换材料的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层。
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