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公开(公告)号：CN119866082A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411408428.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/12
Abstract: 提供了图像传感器以及制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：多个像素；半导体基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；器件隔离层，设置在穿透半导体基底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将所述多个像素彼此分离；以及微透镜，设置在第二表面上。器件隔离层包括：掩埋绝缘图案，穿透第一表面和第二表面；绝缘衬层，在掩埋绝缘图案与半导体基底之间；导电衬层，在绝缘衬层与掩埋绝缘图案之间；以及掩埋导电图案，设置在掩埋绝缘图案的至少一部分上并接触导电衬层。
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公开(公告)号：CN116404016A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310007855.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素划分结构、感光元件、滤色器阵列层和微透镜。像素划分结构在垂直方向上延伸穿过基板，并限定单位像素区。感光元件在每个单位像素区中。包括滤色器的滤色器阵列层在基板上。微透镜在滤色器阵列层上。像素划分结构包括芯和在芯的侧壁上的侧面图案结构。芯包括第一填充图案和在由第一填充图案形成的空间中的第二填充图案，第一填充图案包括以第一浓度掺有杂质的多晶硅。第二填充图案的侧壁被第一填充图案覆盖，第二填充图案包括以不同于第一浓度的第二浓度掺有杂质的多晶硅。
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公开(公告)号：CN108538847B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810373088.X
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种制造三维半导体存储装置的方法，所述方法包括：形成包括交替且重复地堆叠在基板上的牺牲层和绝缘层的多层结构；形成贯穿多层结构的开口，使得开口暴露基板；形成填充开口的下区域的下半导体层；在具有下半导体层的开口中形成竖直绝缘件和上半导体图案；将多层结构图案化以形成暴露基板的沟槽，使得沟槽与开口分隔开；去除被沟槽暴露的牺牲层以形成多个栅极区域；选择性地蚀刻被所述多个栅极区域中的至少最下方的栅极区域暴露的下半导体层，以形成具有凹进侧壁的下半导体图案；以及分别在所述多个栅极区域中形成栅极图案，其中，形成下半导体层的步骤包括将被开口暴露的基板用作种子来执行选择性外延生长工艺。
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公开(公告)号：CN107393960B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201710294745.7
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金振均
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明构思涉及垂直场效应晶体管及其制造方法。一种制造垂直场效应晶体管的方法提供如下。具有侧壁的鳍结构形成在衬底上。下间隔物、栅极图案和上间隔物分别围绕下侧壁区域、中间侧壁区域和上侧壁区域。下间隔物、栅极图案和上间隔物沿鳍结构的侧壁彼此垂直堆叠。为形成下间隔物，初始间隔物层形成为围绕鳍结构的下侧壁区域；通过使用定向掺杂工艺在初始间隔物中部分地掺杂杂质而在初始间隔物层中形成掺杂区域和未掺杂区域；以及去除初始间隔物层的未掺杂区域使得初始间隔物层的掺杂区域保留以形成下间隔物。
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公开(公告)号：CN111627942A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911217472.1
申请日：2019-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金振均
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 一种图像传感器包括：第一导电类型的半导体基板，具有第一和第二表面并包括像素区域；分别设置在像素区域中的第二导电类型的光电转换区域；以及设置在半导体基板中以限定像素区域的像素隔离结构，该像素隔离结构围绕每个光电转换区域。像素隔离结构包括从半导体基板的第一表面延伸到第二表面的半导体图案、在半导体图案的侧壁和半导体基板之间的侧壁绝缘图案、以及半导体图案的至少一部分中的掺杂剂区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847602B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN200911000290.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11565
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件以及形成半导体存储器件的方法。该方法可以包括形成在衬底上交替堆叠的绝缘层和单元栅层，通过连续地对单元栅层和绝缘层图案化而形成开口，以及在开口中的单元栅层的侧壁上选择性地形成导电屏蔽。
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公开(公告)号：CN103681687A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310412616.5
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/04 , H01L29/1037 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/7926
Abstract: 提供了一种三维（3D）半导体存储装置和一种制造该三维半导体存储装置的方法，所述装置包括：绝缘层，堆叠在基板上；水平结构，位于绝缘层之间，水平结构分别包括栅电极；竖直结构，贯穿绝缘层和水平结构，竖直结构分别包括半导体柱；以及外延图案，每个外延图案位于基板和每个竖直结构之间，其中，外延图案的最小宽度小于竖直结构中的相对应的竖直结构的宽度。
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公开(公告)号：CN100477227C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610126608.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/532 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02118 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/02362 , H01L21/318 , H01L27/10885
Abstract: 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN120051018A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410750883.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一导电类型并且包括彼此背对的第一表面和第二表面；多个光电转换区，在半导体基底中并且具有第二导电类型；以及第一像素隔离结构，位于在第一方向上彼此邻近的光电转换区之间。第一像素隔离结构包括：第一导电图案，与半导体基底邻近并且具有从第一表面延伸到第二表面的形状；内部介电图案，在第一导电图案的内侧表面上；掩埋介电图案，在内部介电图案上；以及蚀刻停止层，在内部介电图案与掩埋介电图案之间。
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公开(公告)号：CN119364885A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411377978.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金振均
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：第一导电类型的半导体基板，具有第一和第二表面并包括像素区域；分别设置在像素区域中的第二导电类型的光电转换区域；以及设置在半导体基板中以限定像素区域的像素隔离结构，该像素隔离结构围绕每个光电转换区域。像素隔离结构包括从半导体基板的第一表面延伸到第二表面的半导体图案、在半导体图案的侧壁和半导体基板之间的侧壁绝缘图案、以及半导体图案的至少一部分中的掺杂剂区域。
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