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公开(公告)号：CN117438439A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310428047.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的衬底、与所述第二表面接触的固定电荷层、覆盖所述第一表面的层间电介质层、在所述衬底中与所述第一表面相邻的器件隔离部以及位于所述衬底中的像素隔离部。所述像素隔离部包括导电图案、掩埋电介质图案以及同时与所述固定电荷层和所述层间电介质层接触的隔离电介质图案。所述隔离电介质层在所述掩埋电介质图案和所述导电图案之间的界面的水平高度处具有第一厚度。所述隔离电介质层在所述固定电荷层的底表面的水平高度处具有第二厚度。所述第二厚度不同于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN120051018A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410750883.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一导电类型并且包括彼此背对的第一表面和第二表面；多个光电转换区，在半导体基底中并且具有第二导电类型；以及第一像素隔离结构，位于在第一方向上彼此邻近的光电转换区之间。第一像素隔离结构包括：第一导电图案，与半导体基底邻近并且具有从第一表面延伸到第二表面的形状；内部介电图案，在第一导电图案的内侧表面上；掩埋介电图案，在内部介电图案上；以及蚀刻停止层，在内部介电图案与掩埋介电图案之间。
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公开(公告)号：CN117637777A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310540447.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的基底以及在第二表面上的微透镜、在第一表面上的互连线和在基底中的像素隔离部，像素隔离部被构造为使像素彼此隔离而不直接接触。像素隔离部可以包括绝缘隔离图案和导电图案，其中，导电图案与基底间隔开，并且绝缘隔离图案在基底和导电图案之间。导电图案可以包括在绝缘隔离图案的侧表面上顺序布置的第一导电图案、第二导电图案和第三导电图案。
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公开(公告)号：CN117995857A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311443165.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：基板，包括第一表面以及与第一表面相反的第二表面；以及在基板中的像素分离部，像素分离部将多个像素彼此分离，所述多个像素包括在顺时针方向上的第一至第四像素，像素分离部包括在第一像素和第二像素之间的第一部分以及在第一像素和第三像素之间的第二部分。第一部分和第二部分中的每个包括覆盖基板的侧表面的第一电介质图案以及覆盖第一电介质图案的侧表面的第一硅图案。第二部分还包括与第一硅图案的侧壁相邻的第二硅图案。第二硅图案在俯视图中具有菱形形状。
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