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公开(公告)号：CN1649028A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006413.1
申请日：2005-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 提供了一磁阻器件，其中，依次形成了一钉扎层、一被钉扎层、一反铁磁层和一自由层，并且，所述自由层是由金属间化合物形成的。所述磁阻器件提供了高MR比，因而，提高了灵敏度裕量。
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公开(公告)号：CN1551358A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN1516536A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03132667.6
申请日：2003-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤利·N·托尔马契夫 , 马东俊
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
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公开(公告)号：CN1500908A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02160604.8
申请日：2002-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明公开了一种磁控管溅镀装置和方法。在所述磁控管溅镀装置中，真空室包括一个放电气体入口和一个放电气体出口。真空室中设有基板支撑器。磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和固装于靶电极背部的磁控管，磁路单元与基板支撑器相对设置，并且绕着基板支撑器的中心轴旋转。驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。因此，可以提高薄膜的均匀度和阶梯覆盖度。
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公开(公告)号：CN1426065A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115836514B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202180047484.3
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L67/141 , H04L67/146
Abstract: 根据各种实施例，电子装置包括至少一个处理器。该至少一个处理器可以被配置成：确认来自由该至少一个处理器执行的第一应用的数据会话建立请求；确认对应于用于路径选择的第一应用的至少一个第一描述符；基于该确认的至少一个第一描述符，确认对应于该确认的至少一个第一描述符的第一网络接口；建立对应于该确认的至少一个第一描述符的第一数据会话；以及使用第一数据会话通过第一网络接口发送和/或接收与第一应用相关的数据。
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公开(公告)号：CN108227964B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201711334330.4
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0354 , G06V40/13
Abstract: 根据各种示例性实施例，公开了一种电子设备。所述电子设备包括：壳体，具有面向第一方向的第一表面和面向相反的第二方向的第二表面。所述第一表面的第一区域包括多个可选择的输入按键。所述第一表面的第二区域不包括所述多个按键。传感器模块(例如指纹传感器)安装到所述第一区域。
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公开(公告)号：CN109525257B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810879310.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种发送具有不同无线通信标准的第一发送信号及第二发送信号的发送器装置及收发器装置。所述发送器装置包括功率放大器，所述功率放大器在第一发送模式中放大所述第一发送信号。第一阻抗电路将经放大的所述第一发送信号提供到射频输出端口。第二阻抗电路连接到所述第一阻抗电路且在所述第一发送模式中为所述第一阻抗电路提供额外阻抗。第一开关在第二发送模式中将所述第二发送信号提供到所述第一阻抗电路。第二开关在所述第一发送模式中将所述第二阻抗电路与地连接且在所述第二发送模式中使所述第二阻抗电路浮置。
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公开(公告)号：CN112737511A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011081637.X
申请日：2020-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种混频器包括：负载部分，其连接在第一电源电压的输入端子与射频发射信号的输出端子之间，并且被配置为调整射频发射信号的幅度；第一开关单元，其连接到射频发射信号的输出端子，并且被配置为响应于多个本地振荡信号执行第一开关操作；以及第二开关单元，其连接在第一开关单元与低于第一电源电压的第二电源电压的输入端之间，并且被配置为响应于多个基带信号执行第二开关操作，多个本地振荡信号包括：I+基带信号、I‑基带信号、Q+基带信号和Q‑基带信号，并且第二开关单元包括第一分支、第二分支、第三分支和第四分支。
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公开(公告)号：CN100541652C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410095989.5
申请日：2004-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/135 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器。磁性隧道结(MTJ)单元包括具有低磁矩的自由磁层，磁性随机存取存储器(MRAM)包括MTJ单元。MRAM的MTJ单元包括：下电极；和顺序地堆叠在下电极上的下磁层、隧道层、上磁层和上电极。上磁层包括厚度为5nm或更小的自由磁层。MTJ单元的纵横比可以是2或更小，自由磁层的磁矩可以是800emu/cm3或更小。
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