公开(公告)号：CN106033768A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510102793.2

申请日：2015-03-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  徐东秀 ,  牟圭铉 ,  朴在勋 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0623

Abstract: 本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。

公开(公告)号：CN105609540A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510312366.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  吴知然 ,  金智慧 ,  徐东秀 ,  尹善载

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619

Abstract: 提供了一种功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：漂移层，具有第一导电型；集电极层，具有第二导电型，并形成在所述漂移层之下；集电极，设置在所述集电极层的下部的至少一部分上，所述集电极使用与所述集电极层具有整流接触的金属形成。

公开(公告)号：CN103794646A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310024226.0

申请日：2013-01-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0804

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且形成在第一半导体区的一个表面上；第三半导体区，具有第一导电类型，并且形成在第二半导体区的一个表面上；栅极电极，形成在穿过第二半导体区和第三半导体区以到达第一半导体区的内部的沟槽中；以及空穴注入单元，形成在栅极电极和第一半导体区之间。

公开(公告)号：CN103178103A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210436494.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底有正表面和背表面，以及具有自该半导体衬底的正表面后向布置的p型杂质层、低浓度n型杂质层和n型杂质层，所述n型杂质层中具有高浓度p型杂质区并且所述n型杂质层和所述高浓度p型杂质区被暴露于所述背表面；以及深槽，该深槽在所述半导体衬底中垂直形成，该深槽在所述半导体衬底的正表面上开口并且具有与所述高浓度p型杂质区相连的底部表面。这里，可以增加杂质的激活率并且避免薄膜处理期间晶圆的损坏。

公开(公告)号：CN103872097B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN105322000A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510309950.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  金智慧 ,  张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66348

Abstract: 提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，具有第一导电型；多个第二半导体区域，具有第二导电型，并形成在所述第一半导体区域的上部的内部；第三半导体区域，具有第一导电型，并形成在所述第二半导体区域的上部的内部；第一沟槽，形成在所述第一半导体区域的位于所述多个第二半导体区域之间的至少一部分中，所述第一沟槽穿入到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一沟槽包括形成在第一沟槽的表面上的绝缘膜以及填充所述第一沟槽的导电材料；栅极，形成在所述第二半导体区域上。所述栅极和所述第一沟槽彼此电连接。

公开(公告)号：CN104659087A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410337329.7

申请日：2014-07-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀 ,  张昌洙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。

公开(公告)号：CN104465733A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310722649.X

申请日：2013-12-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。

公开(公告)号：CN104347614A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410302847.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法。其中，该功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区；形成于第一半导体区中并且为第二导电类型的第二半导体区；形成于第二半导体区之上并且为第二导电类型的阱区；以及形成于阱区中并且为第一导电类型的源极区，其中，第二半导体区包括从器件的下部沿该器件的高度方向延伸形成的1至n层，并且在第n层的第二半导体区的最宽宽度为Pn的情况下，P1

公开(公告)号：CN104078494A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310308658.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。