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公开(公告)号：CN110098054B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910097846.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供了一种电容器组件，所述电容器组件包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109727771B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810751754.9
申请日：2018-07-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种电容器组件及制造该电容器组件的方法，所述电容器组件包括：电介质，包括彼此面对的第一主表面和第二主表面以及将所述第一主表面和所述第二主表面连接的至少一个端表面，所述电介质通过将所述至少一个端表面定位在所述电容器组件的下表面上而竖直地设置；及第一电极和第二电极，分别设置在所述电介质的所述第一主表面和所述第二主表面上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每者的尺寸大于所述电介质的尺寸。
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公开(公告)号：CN103794654A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310058798.0
申请日：2013-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌在所述第二氮化物半导体层的另一边上达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜。本发明提供的半导体装置能够通过额外形成电流传输路径增加电流传输量。
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公开(公告)号：CN118016447A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310429403.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和盖部，所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，所述盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面和另一表面上；以及外电极，设置在所述主体上，其中，在所述内电极与所述介电层之间的界面的一部分处设置有包含Al的第二相，并且所述第二相所占的面积相对于所述电容形成部的面积的比率大于等于0.03％且小于等于0.40％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098053A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811352166.4
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01G4/228
Abstract: 本公开提供一种电容器及制造该电容器的方法，所述电容器包括：基板，包括彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，设置在第一沟槽中以及基板的一个表面上；第二电极，设置在第二沟槽中以及基板的一个表面上，并与第一电极间隔开；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别布置在第一电极和第二电极上；以及钝化层，设置在第一电极和第二电极以及第一焊盘电极和第二焊盘电极上，并具有分别部分地暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极的开口。
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公开(公告)号：CN109585163A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811092754.9
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供了一种电容器及其制造方法。所述电容器包括：包括多个开口的结构，所述多个开口从所述结构的第一表面贯通到与所述第一表面相对的第二表面；电容器层，设置在所述结构的所述第二表面上和所述多个开口中并且包括介电层以及第一电极和第二电极，所述介电层介于所述第一电极与所述第二电极之间；第一连接层，设置在所述结构的所述第一表面上并且连接到所述第一电极；第二连接层，设置在位于所述第二表面上的所述电容器层上并且连接到所述结构的所述第二电极；以及第一端子和第二端子，设置在所述结构的相对的侧表面上并且分别连接到所述第一连接层和所述第二连接层。
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公开(公告)号：CN103839995A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310114557.3
申请日：2013-04-03
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/402 , H01L29/0619 , H01L29/41741 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体设备。该功率半导体设备包括第二导电型第一结终端扩展（JTE）层被形成为使得该第二导电型第一JTE层与第二导电型阱层的一侧相接触；第二导电型第二JTE层，与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上，并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离；以及多晶硅层，被形成为使得与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。
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公开(公告)号：CN115394556B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211080668.2
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种电容器及制造该电容器的方法，所述电容器包括：基板，包括彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，设置在第一沟槽中以及基板的一个表面上；第二电极，设置在第二沟槽中以及基板的一个表面上，并与第一电极间隔开；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别布置在第一电极和第二电极上；以及钝化层，设置在第一电极和第二电极以及第一焊盘电极和第二焊盘电极上，并具有分别部分地暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极的开口。
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公开(公告)号：CN110098054A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910097846.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供了一种电容器组件，所述电容器组件包括：半导体基板，包括第一部和第二部；沟槽，从所述半导体基板的一个表面到所述半导体基板的另一个表面贯穿所述半导体基板，以将所述半导体基板的所述第一部和所述第二部彼此分开；介电层，设置在所述沟槽中以及所述半导体基板的所述一个表面上；第一焊盘电极和第二焊盘电极，彼此分开并且贯穿所述介电层以分别与所述半导体基板的所述第一部和所述第二部接触；以及钝化层，设置在所述介电层上，覆盖所述第一焊盘电极的一部分和所述第二焊盘电极的一部分，并且暴露所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极中的每个的至少一部分。
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