公开(公告)号：CN103872117A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310538284.5

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，形成在所述半导体基板下的集电极层，形成在所述半导体基板上的基层，形成在所述基层上的发射极层，垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒，形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露，形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极，形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层，以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。

公开(公告)号：CN103794654A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310058798.0

申请日：2013-02-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌在所述第二氮化物半导体层的另一边上达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜。本发明提供的半导体装置能够通过额外形成电流传输路径增加电流传输量。

公开(公告)号：CN103794648A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310063205.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：在N-型AlGaN层的一边上形成的源电极；在P-型AlGaN层的另一边上形成并且以垂直于源电极的方向形成的N-型和P-型AlGaN层；在N-型和P-型AlGaN层的一边上形成的门电极；以及在N-型和P-型AlGaN层的另一边上形成的漏电极。本发明提供的半导体装置能够增加操作的可靠性。

公开(公告)号：CN103681322B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210526337.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/6634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7825

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，该器件包括：基底，该基底具有一个表面和另一个表面并且由第一导电型漂移层形成，第一导电型扩散层，该第一导电型扩散层在所述基底的一个表面上形成并具有比所述第一导电型漂移层更高的浓度，以及形成的沟槽以便从包括第二导电型阱层的所述基底的一个表面沿厚度方向穿过所述第二导电型阱层和所述第一导电型扩散层。本发明提供的功率半导体器件能够使电导率调变形状最大化。

公开(公告)号：CN103872116A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310148587.6

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741

Abstract: 本发明在此公开一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：漂移层，该漂移层形成在半导体衬底的第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过井层到达漂移层；第一电极，该第一电极形成在沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区形成在井层上，包括在垂直方向上与沟槽接触的第一区和在平行方向上与沟槽分隔开且与第一区垂直的第二区；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区被形成以与第二导电类型的第二电极区的侧表面接触；以及第二电极，该第二电极形成在井层上并且电连接至第二导电类型的第二电极区和第一导电类型的第二电极区。

公开(公告)号：CN103839986A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310042628.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。

公开(公告)号：CN103681820A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210450970.2

申请日：2012-11-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0603

Abstract: 提供了一种绝缘栅双极晶体管，该晶体管包括：有源区，该有源区包括栅极电极、第一发射极金属层、第一阱区和一部分的第三阱区；截止区，该截止区包括支持耗尽层扩散的第二阱区；以及位于所述有源区和所述截止区之间的连接区，该连接区包括第二发射极金属层、栅极金属层和所述第三阱区的其他部分，其中所述第三阱区在所述有源区和所述连接区上形成，以及所述第一发射极金属层和所述第二发射极金属层在所述第三阱区上形成。

公开(公告)号：CN103178113A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210295888.7

申请日：2012-08-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，能够通过在电极与栅极的突起区域的侧面之间形成电容并增加栅源的电容来消除短路现象。该半导体器件可包括：半导体本体，具有预定的体积；源极，形成在半导体本体的上表面上；栅极，形成在半导体本体的沟槽中，并具有从半导体本体的上表面向上突起的突起区域，该沟槽其具有预定的深度并且该突起区域具有根据要设置的电容的水平而改变的突起高度；以及电极，电连接至源极，以与栅极的突起区域的侧面一起形成电容。

公开(公告)号：CN103839986B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201310042628.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  张昌洙 ,  宋寅赫 ,  严基宙 ,  徐东秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。

公开(公告)号：CN104078494B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310308658.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  朴在勋 ,  严基宙 ,  张昌洙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。