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公开(公告)号：CN102012416A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010291200.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.利用惠斯通半桥法测量应变；3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变；4.消除误差。本系统是：一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。
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公开(公告)号：CN102011188A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010577520.0
申请日：2010-12-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及稀土正铁氧体（RFeO3）光磁功能晶体生长研究领域，光学浮区二次熔融法是此类材料在现阶段比较可行的一种全新的、高效的生长方法。它以高纯度的氧化铁、稀土氧化物为原料按照化学配比经过研磨、烧结、等静压等工艺流程得到料棒，再将其置于光学浮区炉中，在空气气氛中进行生长。经过本方法所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想，其特征峰明显增强，半高宽（FWHM）明显减小，从而显著提高晶体结晶质量，更容易得到纯相的完整RFeO3晶体；同时，此方法的效率很高，生长速度可以根据不同的应用目的在1－9mm/h范围内适当调节，这是提拉法、水热法、下降法、等传统方法无法达到的。
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公开(公告)号：CN118918988A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410690271.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06F119/14 , G06F119/02
Abstract: 一种基于机器学习和有限元分析的BGA焊点剪切性能预测方法，包括：收集无铅焊料的合金成分和拉伸性能的实验数据，建立初始数据集；以合金成分为输入、拉伸性能为输出，用机器学习模型进行建模和训练；模型采用留一交叉验证法进行验证；设计合金成分构建虚拟样本，将虚拟样本输入到机器学习模型中得到预测结果；建立BGA焊球剪测试有限元模型，并采用推刀的位移方式进行有限元分析；将焊点的IMC层厚度作为控制因素，以评估焊点在时效后的剪切性能，判断不同成分焊点对时效的抵抗能力。该方法可减少获取焊料合金拉伸性能的试验成本，提高研发效率，且使用的BGA球剪测试有限元模型，确定了焊料合金拉伸性能与IMC厚度对焊点剪切裂纹萌生强度的影响。
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公开(公告)号：CN117798970A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311711736.5
申请日：2023-12-13
Abstract: 本发明提供一种基于复合介电弹性体薄膜的变刚度柔性抓手和基于变刚度柔性抓手的毛笔书写器。变刚度柔性抓手包含多个刚度自适应柔性驱动器，每个刚度自适应柔性驱动器包括层叠设置的致动层、刚度调整层和柔性框架层，致动层和刚度调整层均为上下表面涂覆有柔性电极的复合介电弹性体薄膜，柔性框架层为最外层，用于调节刚度自适应柔性驱动器的弯曲度；致动层和刚度调整层分别与外部电源连接，通过调节施加在致动层和刚度调整层的电压与频率，实现柔性抓手的致动位移与刚度的一体化变化。
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公开(公告)号：CN115044981B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210677496.0
申请日：2022-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用，反铁磁单晶材料的分子式为Mn3‑xCrxSn，其中0≤x≤0.42，将锰，锡和铬粉末以一定的化学比例混合，置于密封的石英管中，低熔点的Sn作自助熔剂，溶解Mn和Cr，设定高温烧结炉程序，进行缓慢降温淬火获得单晶。本发明通过改变Cr的掺杂含量来调控并获得大的交换偏置效应，制备工艺简单，成本低，能源消耗少，当x＝0.42时，在温度为2～200K都存在交换偏置效应。该晶体可以被应用到需要通过温度而调节交换偏置场的应用环境中，如信息存储，磁场探测，磁记录介质和磁指纹识别等领域。同时，在2～50K范围内也具有垂直偏移量，垂直偏移量的存在不但丰富了传感器的设计方式，而且表现出比平行方向更大的偏移量，为实际应用提供新的更好的选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364214A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310201616.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 上海大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06F111/06 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种Sn‑Ag‑Cu‑Bi‑In‑Ti无铅焊料合金的筛选方法，包括：获取Sn‑Ag‑Cu系列无铅焊料合金数据集以及基于机器学习模型对所述数据集合进行拟合，通过高斯上确界方法进行建模，建立起合金预测多项力学性能的模型，所述模型为线性模型，根据所述模型在所述帕眉托前沿选点，得到多个无铅焊料合金成分推荐。还提供一种根据该筛选方法获得的无铅焊料合金。本发明方法在无铅焊料的设计中体现出明显优势，仅通过几轮筛选就能获得良好机械性能的合金，可以缩减材料研发的经济和时间成本，可推广应用于其它高性能材料的研发，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115846652A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211650238.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性合金/氧化铝复合热喷涂粉末以及其制备方法和应用，本发明所述磁性合金/氧化铝复合热喷涂粉末的制备方法包括如下步骤：S1、SiO2壳层包覆；S2、ZrO2壳层包覆；S3、复合粉末制备。本发明通过采用低介电特性的陶瓷相材料包覆来调控磁性合金的电磁参数，从而改善磁性合金的阻抗匹配特性；通过多次包覆来调控包覆层的厚度降低磁性合金的沉降速率，从而使复合粉末的磁—介电组分分布均匀；通过多次包覆来调控包覆层的致密度，从而提高磁性合金的抗氧化性；通过采用不同陶瓷相材料引入多界面，从而降低磁性合金粉末的红外发射率；以及通过调控造粒过程中的浆料配比，从而改善对应复合粉末和高温吸波涂层的性能，解决了商业化铁硅铝(FSA)雾化成型后介电特性较高，阻抗匹配特性差，在造粒时密度大易沉降导致造粒成分不均匀，以及在热喷涂过程中易氧化，涂层红外发射率高等问题。同时，本发明所述制备方法工艺操作简单，易于进行大批量生产。
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公开(公告)号：CN108802988A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810581799.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 上海大学
CPC classification number: G02B21/0004 , G01N21/84 , G02B21/0032 , G02B21/0068 , G02B21/0076 , G02B21/008
Abstract: 本发明的超分辨光学显微成像系统及其调节方法，通过对三维纳米平移台的扫描过程，可以获得激光光束的直观光强分布情况，并可实时观测；使用中空光束消除所述第二实心光束的旁瓣，同时增加第一实心光束以增强光斑的中心光强，有效提高了成像系统的分辨率；利用金纳米颗粒首先对多光束的光斑形状进行调节，包括中空光束，第一实心光束及第二实心光束光斑形状和强度分布调节，然后通过调节光束发散度以及光束的入射角度，完成多光束的重合度调节，对进一步优化STED系统以及多光束超分辨系统的实现，以及成像分辨率的提升具有一定的指导及经验性意义。
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公开(公告)号：CN106191991A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610758457.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法，以高纯的物质粉末为原料，按摩尔配比在手套箱内称重，充分研磨混合后，利用压片机制成的圆片素坯，将反应物放置在圆柱形氧化铝坩埚中，以SiC做导热材料在微波炉内进行加热。本发明制备方法的优点是可以同时实现多个样品或同个样品不同成分点的高通量制备。利用微波加热，同时以SiC为导热材料，使样品在极短的时间内达到所需的反应温度，实现了快速经济高通量合成。本发明方法实现了材料高通量制备并且克服了样品制备过程中在反应温度和反应时间上存在的限制，实现了材料的高效合成。本发明制备的合成钨青铜系列AxWO（3 A=Na，Ca，B）和稀土钛化物RTiO（3 R是稀土元素）晶体，能广泛应用于磁性,超导及相关材料制备技术领域。
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公开(公告)号：CN102012460B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010290764.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.通过循环设置LCR仪表测量参数实现扫描测量功能；3.利用LCR仪表测量样品交流阻抗；4.消除误差。本系统是一个综合物性测量系统和一个LCR仪表通过GPIB接口总线与一个微机终端相连。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特性。
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