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公开(公告)号：CN102012460B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010290764.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.通过循环设置LCR仪表测量参数实现扫描测量功能；3.利用LCR仪表测量样品交流阻抗；4.消除误差。本系统是一个综合物性测量系统和一个LCR仪表通过GPIB接口总线与一个微机终端相连。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特性。
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公开(公告)号：CN105332057B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510659844.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种采用一步法直接生长磁电材料Mn4Nb2O9单晶的方法，其步骤为：初始原料采用纯度为3N以上的MnCO3与Nb2O5按摩尔比4:1制备料棒即上棒和下棒；置于高温炉内在900℃、在Ar气保护下烧结12 h，随炉自然降至室温；得到的料棒在光学浮区炉生长单晶。该方法的特点是所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想；本发明Mn4Nb2O9在料棒预合成过程中得到的是MnNb2O6和Mn3O4的混合相，采用该混合相的料棒和籽晶在Ar气保护下生长，一步直接获得了纯相的Mn4Nb2O9单晶。制得的大尺寸单晶将为后续的基础研究和器件应用提供技术基础。
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公开(公告)号：CN104931808A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410738599.9
申请日：2014-12-08
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料热释电性能的系统。它包括一个综合物性测量系统（PPMS）、一个静电计(KEITHLEY 6517B)、一个微机终端和一个开关部分。开关部分包括两个双刀双掷继电器、一个单片机（STC89C52）、一个L293D四倍高电流H桥驱动、一个9V直流开关电源。先将调试好的单片机程序烧录到单片机中，微机终端则可通过单片机控制L293D四倍高电流H桥驱动来控制继电器的吸合，从而实现在测试、加电压极化、以及短路放电不同操作之间任意切换。本发明能够克服在放电和测试的时候手动接线，整个测试过程完全自动化。
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公开(公告)号：CN105624774A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610136787.3
申请日：2016-03-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光学浮区法生长具有连续变化组分的无机材料单晶体的方法，属晶体生长领域。本发明的制备过程为：以高纯的原料按摩尔比处理反应制备多晶非连续组分原料系列。根据所期望的组分变化范围得到的原料按照有限非连续组分变化顺次排列压制料棒并烧结，再置于浮区炉中生长。该方法的特点是上下棒对接时组分相同，在生长过程中顺次渐变，有利于晶体沿失配最小的方向依次生长，生长过程中注意参数的调节，在成分变化处基于上下棒组分的渐变连续混合并由于相对旋转的搅拌作用使得熔区成分连续变化。该方法制备的晶体经检验性能良好，成分易于调控。制得的连续组分单晶将为高通量的材料表征分析和择优选取提供一种可能。
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公开(公告)号：CN102012416A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010291200.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.利用惠斯通半桥法测量应变；3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变；4.消除误差。本系统是：一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。
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公开(公告)号：CN105442043A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510682116.2
申请日：2015-10-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种采用微波加热法制备三价易氧化钛酸盐RTiO3多晶的方法，包括如下步骤：以高纯的R2O3和Ti2O3粉末为原料，按摩尔比1:1配比在手套箱内称重，充分研磨混合后，利用压片机制成直径13 mm厚度2 mm的圆片，将反应物放置在圆柱形氧化铝坩埚中，以SiC做导热材料在微波炉内进行加热。该制备方法的优点是利用微波加热，同时以SiC为导热材料，使样品在极短的时间内达到所需的反应温度，避免了低温区杂相的生成。同时，实验过程中保持反应腔内稳定的氩气环境，避免Ti3+发生氧化反应。本发明方法克服在反应温度和反应时间上存在的限制，很大程度上避免了杂质的生成。
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公开(公告)号：CN105332057A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510659844.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种采用一步法直接生长磁电材料Mn4Nb2O9单晶的方法，其步骤为：初始原料采用纯度为3N以上的MnCO3与Nb2O5按摩尔比4:1制备料棒即上棒和下棒；置于高温炉内在900℃、在Ar气保护下烧结12h，随炉自然降至室温；得到的料棒在光学浮区炉生长单晶。该方法的特点是所得的单晶表面不论光洁度、致密度、均匀性都很理想；本发明Mn4Nb2O9在料棒预合成过程中得到的是MnNb2O6和Mn3O4的混合相，采用该混合相的料棒和籽晶在Ar气保护下生长，一步直接获得了纯相的Mn4Nb2O9单晶。制得的大尺寸单晶将为后续的基础研究和器件应用提供技术基础。
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公开(公告)号：CN102012416B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010291200.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.利用惠斯通半桥法测量应变；3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变；4.消除误差。本系统是：一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。
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公开(公告)号：CN102012460A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010290764.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.通过循环设置LCR仪表测量参数实现扫描测量功能；3.利用LCR仪表测量样品交流阻抗；4.消除误差。本系统是一个综合物性测量系统和一个LCR仪表通过GPIB接口总线与一个微机终端相连。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特性。
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