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公开(公告)号:CN103081083A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041531.X
申请日:2011-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6835 , B25J15/0616 , B32B43/006 , H01L21/67011 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L2221/68327 , Y10T156/1132 , Y10T156/1933
Abstract: 使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片,并且,使第2吸附部靠近粘合片,并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片,该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部,利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片,并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体,从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离,在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下,使第1吸附部远离粘合片,从而拾取芯片。
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公开(公告)号:CN102738069A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210076842.6
申请日:2012-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05551 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/11332 , H01L2224/11505 , H01L2224/13009 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/8184 , H01L2224/81986 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。其能够易于实现在芯片上形成贯通电极、易于实现贯通电极相互间的连接。实施方式的制造方法的特征在于,准备多个半导体基板,该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔、并且在该贯通孔内填充有多孔质导体;以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来;将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中;对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。
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公开(公告)号:CN100335905C
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN02817352.X
申请日:2002-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01P15/18 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0181 , B81B2203/053 , B81B2203/058 , G01C19/5719 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0842
Abstract: 一种微结构,包括:质量块;在其中可动地容纳了质量块的基底构件。质量块包括暴露于基底构件之外的表面以及限动线,所述限动线布置在质量块的所述表面上方,以抑制质量块的过度运动。
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公开(公告)号:CN1971784A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200610109924.0
申请日:2006-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 奥克泰克有限公司 , 揖斐电株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有可以较短的烧固时间形成且质量较高的电介体层的电容器及其制造方法。通过气体供给源(112)等将处理装置(100)内的气氛调节为例如氧气氛等。使热处理装置(101)内的气氛为氧气氛,并使温度上升至预定程度。然后,以不会在晶片(W)中产生不良的速度将形成有电介体前体层的晶舟(161)装入热处理装置内。装入后,使热处理装置的反应管内部上升至烧固温度并烧固预定的时间。在热处理装置内冷却至预定程度后,在处理装置内冷却至室温左右,然后将其搬出到处理装置外部。在烧固形成于晶片上的电介体前体层之前,在高于电介体前体层的溶剂的挥发温度、并低于电介体前体的结晶化开始温度的温度下保持预定的时间,从而使残留溶剂蒸发。
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公开(公告)号:CN1942987A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200680000146.X
申请日:2006-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 奥克泰克有限公司
CPC classification number: H01H1/0036 , B81B3/0054 , B81B2201/014 , B81B2203/053 , H01H1/24 , H01H37/46 , H01H67/22 , H01H2001/0042 , H01H2037/008
Abstract: 在上部基板(15)的下表面的绝缘膜(14)上设有第一布线层(16),在下部基板(11)上的绝缘膜(12)上设有与第一布线层(16)立体交差的第二布线层(13),使悬臂(17)的一端与第一布线层(16)连接,使悬臂(17)的另一端与第二布线层(13)间隔相对。在上部基板(15)上配置覆盖贯通孔(18)的热可塑性片材(19),通过用加热的销(20)将热可塑性片材(19)压向悬臂(17)来使之变形,并维持悬臂(17)与第二布线层(13)的连接状态,从而闭合开关(10)。
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公开(公告)号:CN1921112A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200610111369.5
申请日:2006-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 揖斐电株式会社 , 奥克泰克有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8222 , H01L21/8242 , H01L21/316
Abstract: 一种电介质膜电容器,包含具有开口部的、含有包含白金的材料的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ABOx型钙钛矿结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设置的上部电极。相对于所述电介质膜的形成区域的面积,所述下部电极的平面面积的比例为50%或更大。一种电介质膜电容器,包含含有包含白金的材料的、膜厚10~100nm的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ABOx型结晶结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设置的上部电极。
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公开(公告)号:CN1857920A
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200610078521.4
申请日:2006-05-08
Applicant: 奥克泰克有限公司 , 大日本网目版制造株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: B41J2/16 , H01L21/768 , B41J2/14 , B41J2/175
CPC classification number: B41J2/1609 , B05C5/007 , B05C5/0212 , B05C5/027 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , H01J9/242
Abstract: 本发明提供了一种高精度且低成本的布图图案形成装置。该装置以(100)晶向的单晶硅为母材,通过光刻工序形成具有斜面部和布图材料导引槽的梳齿部。以与形成导引槽相同的工序形成该梳齿部的各个梳齿共用的储存布图材料的储液部。在形成斜面部时,可以通过进行湿式各向异性蚀刻,利用基于晶向的蚀刻速度之差来相对于晶向(100)高精度且容易地形成具有(111)晶向的斜面部,此外还可以通过各向异性干蚀刻来形成槽部,从而以高精度形成直到斜面部的、具有垂直侧壁的布图材料导引槽。
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