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公开(公告)号：CN109417029A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780042178.4
申请日：2017-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
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公开(公告)号：CN100413035C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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公开(公告)号：CN119663233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257190.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控制器与一次侧阀之间的位置分支出来，连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于流量控制器的下游侧；二次侧气体排气流路，其在流量控制器与二次侧阀之间的位置分支出来，连接于二次侧排气机构；二次侧排气阀，其配置于二次侧气体排气流路，流量控制器具有：控制阀，其与一次侧阀及二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于控制阀与二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN119092390A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411207915.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN111564355B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117813677A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053234.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠上游侧的位置；一次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述一次侧阀之间分支出来并连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于所述一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠下游侧的位置；二次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述二次侧阀之间分支出来并连接于二次侧排气机构；以及二次侧排气阀，其配置于所述二次侧气体排气流路，其中，所述流量控制器具有：控制阀，其与所述一次侧阀及所述二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于所述控制阀与所述二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN109417029B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780042178.4
申请日：2017-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
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公开(公告)号：CN111477531A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010041705.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。基板支撑器包含下部电极。下部电极设置于腔室内。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。直流电源装置构成为周期性产生脉冲状的负极性的直流电压。直流电源装置的输出电压可在负极性的直流电压与零伏之间交替切换。
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公开(公告)号：CN107731677A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710659499.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。
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公开(公告)号：CN1787183A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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