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公开(公告)号：CN119968696A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202480003929.1
申请日：2024-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够提高选择比的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法在包括腔室的等离子体处理装置中执行，包括：工序（a），在配置于腔室内的基片支承部上准备基片，其中，基片在俯视时包括多个第一区域和位于第一区域之间的至少一个第二区域，基片包括含硅和氮的第一膜，第一膜配置于多个第一区域，并且在至少一个第二区域包含凹部，在凹部配置有第二膜；工序（b），向腔室内供给包含第一气体和第二气体的处理气体，其中，第一气体含金属和氟，第二气体能够捕获含氟的活性种；和工序（c），在工序（b）的执行期间，使用具有第一频率的生成源RF信号从处理气体生成等离子体，至少在凹部相对于第一膜有选择地蚀刻第二膜。
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公开(公告)号：CN110010466B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201910008656.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。
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公开(公告)号：CN113471071A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110244018.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，在基板之上形成堆积物；d工序，使堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于第二区域选择性地对第一区域进行蚀刻；以及重复c工序和d工序的e工序，在c工序中，通过将第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。
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公开(公告)号：CN107731677B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710659499.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在第1层上，第1层设置在第2层上，第2层设置在被蚀刻层上，该方法包括：在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用等离子体和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层，在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；和在处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用等离子体除去掩模的工序。
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公开(公告)号：CN110010466A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910008656.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。
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公开(公告)号：CN105051870A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016295.X
申请日：2014-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/31133 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01L21/02118 , H01L21/02351 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN115910773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211158415.2
申请日：2022-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好的形状的凹部。蚀刻方法包括准备基板的工序。基板包括包含第一材料的第一区域、以及包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。蚀刻方法包括利用从包含含钨气体的处理气体生成的等离子体来蚀刻第二区域的工序。在进行蚀刻的工序中，在处理气体中包含的除非活性气体以外的全部气体中，含钨气体的流量最多。
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公开(公告)号：CN109559987B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN115565870A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210725530.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有优异的耐蚀刻性的含钨沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，所述基板包括包含硅和氮的第一区域以及包含硅和氧的第二区域；工序(b)，使用从包含碳和氢中的至少一方、氟以及钨的第一处理气体生成的第一等离子体，在第一区域上形成含钨沉积物；工序(c)，在工序(b)之后，使用从与第一处理气体不同的第二处理气体生成的第二等离子体对第二区域进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110517953A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910425734.7
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，防止在蚀刻形状中产生偶奇差。所述基板处理方法包括以下工序：向在被蚀刻对象膜之上的光致抗蚀剂的图案的侧壁形成的含硅膜之间的凹部埋入有机膜；以及以选择比大致为1：1的条件对所述有机膜和所述含硅膜进行蚀刻或溅射。
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