ダイ、ダイパック、単結晶育成装置、及び単結晶育成方法

    公开(公告)号:JP2018065709A

    公开(公告)日:2018-04-26

    申请号:JP2016204031

    申请日:2016-10-18

    Abstract: 【課題】育成される単結晶の厚みに対して開口角度が容易且つ最適に設定可能なダイ、ダイパック、単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。 【解決手段】スリットを有しEFG法に用いられるダイの先端を、開口角度y1(但しy1 0mm、a>0、b>0°)で関連付けられた角度で形成する。bは47.0°以上47.39°以下とし、厚みxは3.3mm以上6.5mm以下、aは7.75以上7.80以下とする。また開口角度y1を、一次関数式yの±5%内の角度とする。このようなダイを2つ以上備え、各々のスリットの長手方向が平行に配置してダイパックを構成する。更に、前記ダイ又はダイパックを備えて単結晶育成装置を形成すると共に、前記ダイやダイパック又は単結晶育成装置を用いて単結晶育成方法を形成する。 【選択図】図3

    サファイア単結晶リボンとその製造方法

    公开(公告)号:JP2017095288A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:JP2015226197

    申请日:2015-11-19

    Abstract: 【課題】均一な厚さで厚さ方向の変動を抑制し引っ張り応力に対し耐性を有し割れや破壊が防止されて、可撓性を備えるサファイア単結晶リボンとその製造方法を提供する。 【解決手段】間隔TSのスリットを有し、幅方向が平行に配置されたダイを坩堝に収容し、坩堝に酸化アルミニウム原料を投入して加熱し酸化アルミニウム原料を坩堝内で溶融して酸化アルミニウム融液を用意し、スリットを介してスリット上部に酸化アルミニウム融液溜まりを形成し、そのスリット上部の酸化アルミニウム融液に種結晶を接触させて種結晶を引き上げることで、所望の主面と長手方向の寸法を有し、間隔TSと厚さ寸法TとがTS≦Tの関係を満たす条件で可撓性を有するAs−grown単結晶のサファイア単結晶リボンを成長させる。成長形成されたサファイア単結晶リボン2は厚さ方向の寸法Tと長手方向の寸法を有し、厚さ方向の寸法Tにおける変動幅ΔTが0.05mm以内である。 【選択図】図1

    EFG法用育成炉の断熱構造
    14.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017057089A

    公开(公告)日:2017-03-23

    申请号:JP2015180760

    申请日:2015-09-14

    CPC classification number: C30B15/34 C30B29/20

    Abstract: 【課題】 2000℃以上の高温に耐えることが可能で、炉内の温度調整及び断熱材交換が容易なEFG法用サファイア育成炉を提供する。 【解決手段】 ヒーター側面及び底面に配置された断熱材に対し、当該断熱材の上面、側面及び、底部のみを別体の断熱材によって包むことで、ヒーターによって赤熱する断熱材からの放射熱を坩堝周辺へと対流させ、断熱材内側から上部にかけて安定したホットゾーンを構成すると共に、炉内の温度調整及び断熱材交換が容易な断熱構造を得ることができる。 【選択図】 図2

    サファイア部材製造装置およびサファイア部材の製造方法
    15.
    发明专利
    サファイア部材製造装置およびサファイア部材の製造方法 有权
    用于生产蓝宝石部件制造装置及蓝宝石构件方法

    公开(公告)号:JP6060403B1

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:JP2015221617

    申请日:2015-11-11

    Abstract: 【課題】単結晶部材の量産時における品質バラツキを抑制すると共に高い歩留まりを維持すること。 【解決手段】格納容器110と、貫通孔120Hが設けられた坩堝支持部120と、坩堝130と、カーボンヒーター140と、スリット152を備えたダイ150と、種結晶210が鉛直方向に移動できるように種結晶210を保持する種結晶保持部材160と、先端部が、坩堝210の底部下面130BTと接触するように貫通孔120H内に配置された第一の加熱状態検出部170と、坩堝130内に保持される原料融液200の液面200S側近傍の加熱状態を検出する第二の加熱状態検出部と、を少なくとも備える特徴とする単結晶部材製造装置およびこれを用いた単結晶部材の製造方法。 【選択図】図1

    Abstract translation: 甲维持高收率,同时抑制变化质量在生产单晶部件。 和存储容器110,坩埚支撑部分120的通孔120H,提供一种坩埚130,碳加热器140,管芯,具有狭缝152 150,使晶种210可以在垂直方向上移动 晶种保持构件160,用于保持两个晶体210,尖端,第一加热状态检测单元170设置在通孔120H与坩埚210的底部下表面接触130BT,坩埚130 生产的第二加热状态的检测单元,并且对于至少包含所述单晶元件的制造装置和使用该用于检测附近的原料的液面200S侧的加热状态熔体200的单晶构件在被保持 方法。 点域1

    複数のサファイア単結晶及びその製造方法
    16.
    发明专利
    複数のサファイア単結晶及びその製造方法 有权
    多个蓝宝石单晶及其制造方法

    公开(公告)号:JP6014838B1

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:JP2015174567

    申请日:2015-09-04

    CPC classification number: C30B15/34 C30B29/20

    Abstract: 【課題】 サファイア単結晶のマルチ育成において、各サファイア単結晶間のスプレーディング速度のばらつきを制御することにより、量産性に優れた複数のサファイア単結晶及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ダイの長手方向の温度勾配と、ダイの並び方向の温度勾配のバランスを最適化することにより、スプレーディング速度のばらつきを制御し、直胴部分への移行開始点をサファイア単結晶の直胴部分の幅に応じた所定の範囲内の値に設定する。 【選択図】 図2

    Abstract translation: 公开的是蓝宝石单晶的多生长中,通过控制在所述蓝宝石单晶之间的喷雾负载速率的变化,提供多个蓝宝石单晶的,并且其制造方法适于大规模生产。 的模具的温度梯度的长度方向,通过在模具中,以控制在喷射加载速度中的变化的排列方向优化温度梯度之间的平衡,转移开始点蓝宝石单晶直体部分 它是根据宽度的直胴部设置为一个值在预定范围内。 .The

    複数のサファイア単結晶の製造方法
    17.
    发明专利
    複数のサファイア単結晶の製造方法 有权
    制备SAPPHIRE单晶的多孔性的方法

    公开(公告)号:JP2016060672A

    公开(公告)日:2016-04-25

    申请号:JP2014190746

    申请日:2014-09-19

    CPC classification number: C30B15/34 C30B29/20

    Abstract: 【課題】ダイの厚みか又は複数のサファイア単結晶の最大の厚みに対して、ダイ間の間隙又はサファイア単結晶間の間隙を最適に設定することで、フラッティングの防止と熱バランスの改善による結晶欠陥の防止が可能な、複数のサファイア単結晶とその製造方法を提供する。 【解決手段】スリットを有する複数のダイを坩堝に収容し、坩堝に酸化アルミニウム原料を投入して加熱し、スリット上部に酸化アルミニウム融液溜まりを形成し、その融液に種結晶を接触させて引き上げることで複数のサファイア単結晶を成長させ、各ダイ間の間隙Dを、ダイの厚みtの0.33倍以上0.67倍以下に設定して複数のサファイア単結晶を製造し、複数のサファイア単結晶間の間隙dを、複数のサファイア単結晶の厚みの内、最大の厚みtmの0.33倍以上0.67倍以下に設定する。 【選択図】図9

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种制造能够防止淹水的多个蓝宝石单晶的方法,并且通过适当地设定管芯之间的间隙和蓝宝石单晶之间的间隙,可以防止由于热平衡的改善导致的晶体缺陷, 模具或多个蓝宝石单晶的最大厚度。解决方案:通过以下步骤生长多个蓝宝石单晶:将多个具有狭缝的模具放入坩埚中; 将铝原料进料到坩埚中并加热; 在狭缝上形成铝熔池; 并使晶种与熔体接触并提升它们,通过将管芯之间的间隙D设定为模具厚度t的0.33-0.67来制造多个蓝宝石单晶,其中多个 的蓝宝石单晶的厚度设定为与多个蓝宝石单晶的厚度之间的最大厚度tm的0.33-0.67。选择的图:图9

Patent Agency Ranking