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公开(公告)号：JP2017048097A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015174567
申请日：2015-09-04
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 サファイア単結晶のマルチ育成において、各サファイア単結晶間のスプレーディング速度のばらつきを制御することにより、量産性に優れた複数のサファイア単結晶及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ダイの長手方向の温度勾配と、ダイの並び方向の温度勾配のバランスを最適化することにより、スプレーディング速度のばらつきを制御し、直胴部分への移行開始点をサファイア単結晶の直胴部分の幅に応じた所定の範囲内の値に設定する。 【選択図】 図2
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公开(公告)号：JP2017193469A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016085723
申请日：2016-04-22
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】耐久性があり、EFG法によるサファイア単結晶製造に適した温度勾配を形成可能なアフターヒータ及びサファイア単結晶製造装置を提供すること。 【解決手段】育成結晶が通過する中空部分2を形成する別材部分3と、本体部分4とを少なくとも有し、別材部分3に設けた凸部5を本体部分4に設けた凹部6にはめ込み固定することでアフターヒータ1を構成する。別材部分3は本体部分4とは別の材質で構成されており、別材部分3は、本体部分4よりも大きな熱伝導率を有する材質で構成される。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2017149618A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016034676
申请日：2016-02-25
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Inventor： 樋口 数人
Abstract: 【課題】サファイア単結晶部材の生産性に優れること。 【解決手段】ダイを内部に配置した坩堝および加熱部材を収納する第一容器100と、連通口102を介して第一容器100と連通する第二容器200と、下端部に平板状の種結晶300を保持するシャフト210と、種結晶300を覆うようにシャフト210に固定された板状の傘部220と、第二容器200の下部に配置された開閉扉230と、開口部162を有し、開口部162が連通口102の下方側に位置するように第一容器100内に配置された仕切板160とを備え、鉛直方向Zと直交する平面方向において、(i)開口部162の開口面積が、連通口102の開口面積よりも小さく、かつ、(ii)開口部162の内周輪郭線が、傘部220の外周輪郭線よりも外側に位置するサファイア単結晶部材製造装置およびこれを用いたサファイア単結晶部材の製造方法。 【選択図】図2
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6025080B1
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2015255504
申请日：2015-12-26
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 10枚以上となる多数枚の同時育成に際して各リボン間の育成条件を安定させると共に、サイドスリップ不良の発生を防ぎ、スプレディング時間を短縮すると共に、育成する全てのサファイアリボン幅をダイパック幅にて安定させることが可能なEFG育成炉を提供する。 【解決手段】 ダイパック側面に積層配置した熱反射板のうち、中板の一部を取り除いて積層することで、ダイパック中央と両端に対してヒーターから照射される輻射熱の量を変化させ、ダイパック先端部に於ける温度勾配を揃え、育成する全てのサファイアリボン幅をダイパック幅にて安定させることが可能なEFG育成炉を提供することができる。 【選択図】 図2
Abstract translation: 10个或更多的单张纸的时间成为大量的与稳定，防止侧滑缺陷的发生，以及降低铺展时间，所有蓝宝石色带宽度以福斯特·戴伊包带之间的并发培育生长条件 以提供EFG生长炉内，可以在宽度来稳定。 热反射器之间的层叠设置的染料组侧，通过由中间板的除去部，改变从所述加热器相对于染料包的中心和两端，染料包尖端发出的辐射热的量堆叠 在温度梯度对齐部，能够提供所有能够稳定在染料包宽度蓝宝石色带宽度生长的EFG生长炉。 .The
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公开(公告)号：JP2018065709A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016204031
申请日：2016-10-18
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】育成される単結晶の厚みに対して開口角度が容易且つ最適に設定可能なダイ、ダイパック、単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。 【解決手段】スリットを有しEFG法に用いられるダイの先端を、開口角度y1(但しy1 0mm、a>0、b>0°)で関連付けられた角度で形成する。bは47.0°以上47.39°以下とし、厚みxは3.3mm以上6.5mm以下、aは7.75以上7.80以下とする。また開口角度y1を、一次関数式yの±5%内の角度とする。このようなダイを2つ以上備え、各々のスリットの長手方向が平行に配置してダイパックを構成する。更に、前記ダイ又はダイパックを備えて単結晶育成装置を形成すると共に、前記ダイやダイパック又は単結晶育成装置を用いて単結晶育成方法を形成する。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017100900A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015233995
申请日：2015-11-30
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 EFG法を用いたサファイアリボンの複数枚同時育成が可能で、蓋体による温度条件の設定が容易なEFG法育成装置を提供する。 【解決手段】 EFG育成用坩堝に直接設けられた蓋体について、当該蓋体中央に貫通孔として設けられたダイパック用開口部の角部にスリットを設けることで、サファイア育成時に生じる蓋体内部の変形方向を調整し、2000℃付近となるマルチサファイアリボンの育成環境に際して、ダイパック側面と当該蓋体上に直接設けた熱反射板との距離を安定させることができる。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP6142208B1
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2016142035
申请日：2016-07-20
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 EFG法によるサファイア単結晶育成に使用するダイパックにおいて、枚数方向の段差Hを迅速に決定することにより、サファイア単結晶の結晶品質のばらつきを抑え、量産性を向上させることが可能なダイパックと、これを用いたサファイア単結晶育成装置、およびサファイア単結晶の育成方法を提供すること。 【解決手段】 ダイパックの中心からの距離xにおいて、ダイパック中で最も低いダイ高さに対する段差Hを有し、段差Hが、xの2次以上4次以下の関数で規定されるように構成される。 【選択図】 図1
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