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公开(公告)号：JP2017075083A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016117713
申请日：2016-06-14
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 EFG法によるサファイア単結晶の育成に使用するダイ上面の曲率Rを、長い時間やコストをかけることなく迅速に決定することにより、大口径かつ結晶品質に優れたサファイア単結晶及びサファイア基板を提供すること。並びに、EFG法によるサファイア単結晶の育成に用いられるダイ及びダイパックと、サファイア単結晶の育成方法を提供すること。 【解決手段】 EFG法によるサファイア単結晶の育成に使用するダイであって、上面が長手方向に曲率Rを有し、前記曲率Rが長手方向の幅Wの5倍以下であることを特徴とするダイを用いる。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2017193469A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016085723
申请日：2016-04-22
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】耐久性があり、EFG法によるサファイア単結晶製造に適した温度勾配を形成可能なアフターヒータ及びサファイア単結晶製造装置を提供すること。 【解決手段】育成結晶が通過する中空部分2を形成する別材部分3と、本体部分4とを少なくとも有し、別材部分3に設けた凸部5を本体部分4に設けた凹部6にはめ込み固定することでアフターヒータ1を構成する。別材部分3は本体部分4とは別の材質で構成されており、別材部分3は、本体部分4よりも大きな熱伝導率を有する材質で構成される。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6142145B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2015539292
申请日：2014-09-25
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B29/04
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6853445B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2016193194
申请日：2016-09-30
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
IPC: C30B15/34
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公开(公告)号：JP2017132681A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016142035
申请日：2016-07-20
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 【課題】 EFG法によるサファイア単結晶育成に使用するダイパックにおいて、枚数方向の段差Hを迅速に決定することにより、サファイア単結晶の結晶品質のばらつきを抑え、量産性を向上させることが可能なダイパックと、これを用いたサファイア単結晶育成装置、およびサファイア単結晶の育成方法を提供すること。 【解決手段】 ダイパックの中心からの距離xにおいて、ダイパック中で最も低いダイ高さに対する段差Hを有し、段差Hが、xの2次以上4次以下の関数で規定されるように構成される。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2018058743A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016199374
申请日：2016-10-07
Applicant: アダマンド並木精密宝石株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C01B32/205 , H01L21/205 , C30B29/04
Abstract: 【課題】 反りを低減しつつ、高品質のダイヤモンド単結晶を育成可能で、安価な下地基板を提供する。 【解決手段】 ダイヤ単結晶により構成されたランダムマイクロニードルを用いることで、レーザー露光装置等を必要とするフォトリソグラフィーを用いることなく熱加工のみにてダイヤ単結晶基板成長用の下地基板を安価に形成することができると共に、当該下地基板を用いることにより高品質のダイヤモンド単結晶気相成長させることが可能となる。 【選択図】 図2
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