发火电容高g载荷加载点位光电控制装置

    公开(公告)号:CN109870287B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN201910172817.X

    申请日:2019-03-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请公开了发火电容高g载荷加载点位光电控制装置,包括待测电容电路,设置在固定基座上;砧垫质量块,固定安装有支撑杆,支撑杆上设有固定基座;对射型光电开关,通过夹持结构安装在砧垫质量块上;以及测试台,设置在砧垫质量块的下方。测试方法,包括:将砧垫质量块拉升至一定高度后释放;砧垫质量块在t1时间撞击测试台弹回,固定基座继续下落,此时将切断光束并给待测电容电路传回信号,待测电容开始放电;固定基座在t2时间时撞击砧垫质量块,并立刻获得一个高g载荷,此时实现了给待测电容加高g值冲击加速度。本申请可以精确地控制发火电容的高g载荷加载点位,实现发火电容高g载荷下的抗冲击性能测试。

    一种深水机械延时的多配重舱连接分离装置

    公开(公告)号:CN111746766A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010575308.4

    申请日:2020-06-22

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请公开了一种深水机械延时的多配重舱连接分离装置,包括:连接舱、多个吊环以及多个配重舱,其中,所述连接舱中设有连接分离机构,所述吊环的一端与所述连接分离机构可分离连接,所述吊环的另一端对应连接所述配重舱。本申请具有稳定性高,连接牢固,分离有效、灵活、方便,保证了配重舱的稳定连接和多级分离;本申请中的连接分离机构能够保证仪器在工作过程中受到较小的扰动,在分离时,按照预定时间分离配重舱,在尽量减少配重舱损失的情况下,保证测试仪器的主要部分和数据载体的可靠回收。

    一种防侧倾的六面体磁悬浮发电装置

    公开(公告)号:CN110247536A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910357571.3

    申请日:2019-04-29

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请公开了一种防侧倾的六面体磁悬浮发电装置,包括:外壳,其具有顶盖和底盖;第一约束磁铁,其嵌套于所述顶盖中;第二约束磁铁,其嵌套于所述底盖中;悬浮振动磁铁,其设置在所述第一约束磁铁和所述第二约束磁铁之间的外壳内部;第一发电线圈,其设置在所述外壳内部并靠近所述顶盖设置;以及第二发电线圈,其设置在所述外壳内部并靠近所述底盖设置。本申请发电效率高,能量转换效率高,可防侧倾,适用于收集振动能量并将其转化为电能。

    基于TMAH的气相刻蚀方法及气相刻蚀装置

    公开(公告)号:CN107316829B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201710544513.2

    申请日:2017-07-06

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于TMAH的气相刻蚀方法,包括:(1)、在单晶硅基片上利用热氧生长一层SiO2掩膜层薄膜;(2)、利用紫外光刻实现在基片图形化工艺;(3)、利用光刻胶做掩膜,采用体积比HF:NH4F=1:4配制BOE溶液刻蚀SiO2,丙酮洗掉光刻胶形成以SiO2为掩膜的刻蚀窗口;(4)、利用密闭且冷凝循环的刻蚀装置在磁力搅拌加热器上实现刻蚀气体的阵列结构刻蚀。该方法可突破TMAH湿法刻蚀同时实现硅结构刻蚀表面粗糙度较小,凸角保护良好,结构阵列刻蚀均匀性良好,速率稳定的技术难题,可用于微传感器、微执行器等微纳器件图形结构的加工工艺。

    发火电容高g载荷加载点位光电控制装置及测试方法

    公开(公告)号:CN109870287A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201910172817.X

    申请日:2019-03-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请公开了发火电容高g载荷加载点位光电控制装置及测试方法,包括待测电容电路,设置在固定基座上;砧垫质量块,固定安装有支撑杆,支撑杆上设有固定基座;对射型光电开关,通过夹持结构安装在砧垫质量块上;以及测试台,设置在砧垫质量块的下方。测试方法,包括:将砧垫质量块拉升至一定高度后释放;砧垫质量块在t1时间撞击测试台弹回,固定基座继续下落,此时将切断光束并给待测电容电路传回信号,待测电容开始放电;固定基座在t2时间时撞击砧垫质量块,并立刻获得一个高g载荷,此时实现了给待测电容加高g值冲击加速度。本申请可以精确地控制发火电容的高g载荷加载点位,实现发火电容高g载荷下的抗冲击性能测试。

    基于磁电-压电复合式结构的发电螺钉

    公开(公告)号:CN108183626A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810013128.X

    申请日:2018-01-08

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁电-压电复合式结构的发电螺钉,包括螺杆和螺钉头;所述螺钉头顶面设有LED基座,所述LED基座上设有LED灯带。所述螺杆内形成空心腔,所述螺杆的空心腔内固定悬臂梁支撑架,所述悬臂梁支撑架上安装悬臂梁,所述悬臂梁两端分别固定有电磁感应线圈,所述电磁感应线圈引出导线后与LED基座相连;所述螺杆的空心腔内位于电磁感应线圈的上方和下方安装一对极性相反的弧形磁铁;所述悬臂梁的上下表面分别固定有压电薄膜,所述压电薄膜背面具有一层电极并引出导线后与LED基座相连。本发明是将LED灯发光单元、磁电单元、压电单元结合在螺钉结构中,能够实现在螺钉振动时利用采集振动的能量转化为电能点亮螺栓外侧的LED灯。

    一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥

    公开(公告)号:CN104557353B

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201410775599.6

    申请日:2014-12-17

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成;矩形半导体硅构成基底层;与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层,绝缘层覆盖在基底层上;反射层由浓硼(或磷)扩散掺杂的单晶硅制成,尺寸同基底层,沉积在绝缘层之上;半导体桥层由浓硼(或磷)注入掺杂的多晶硅组成,形状两端宽中间窄;半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层;然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

    基于MEMS技术的全海深湍流混合矩阵型剖面观测系统

    公开(公告)号:CN106218838A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610573834.0

    申请日:2016-07-21

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: B63C11/52 G01M10/00

    Abstract: 本发明涉及海洋湍流观测技术,具体是一种基于MEMS技术的全海深湍流混合矩阵型剖面观测系统。本发明解决了现有海洋湍流观测技术无法实现全海深同步多采样点立体观测的问题。基于MEMS技术的全海深湍流混合矩阵型剖面观测系统,包括母弹观测系统和子弹观测系统;所述母弹观测系统包括母弹壳体、母弹整流罩、提拉锁、姿态稳定束、通信模块、母弹传感模块、母弹运行监测模块、母弹数据存储模块、母弹微控单元、母弹电池、母弹电磁抛载机构、母弹配重、水深监测模块、机械臂;所述子弹观测系统包括子弹壳体、子弹整流罩、导航定位模块、子弹传感模块、子弹运行监测模块、子弹数据存储模块、子弹微控单元、子弹电池。本发明适用于海洋湍流观测。

    一种近场热辐射高效传热无装药MEMS发火芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104925734A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510169545.X

    申请日:2015-04-13

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种近场热辐射高效传热无装药MEMS发火芯片及其制备方法,该发火芯片自下而上依次包括SiO2底层、下粘接Ti层、下电极Au层、近场热辐射层、中粘接Ti层、上电极Au层、SiO2腔支撑层、上粘接Ti层、Al层和CuO层,近场热辐射层和SiO2腔支撑层构成高效传热结构,CuO层和Al层构成含能金属材料层,CuO层和Al层为多层交替设置。本发明将焦耳热通过近场热辐射效应高效传递给含能材料,减少了无装药MEMS发火芯片的热散失,提高了能量利用率和总体发火输出;用含能金属替代传统火工药剂改善了含能材料与换能元紧密接触难问题。本发明有利于提高无装药MEMS发火芯片的发火能力和可靠性。

    一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥

    公开(公告)号:CN104557353A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410775599.6

    申请日:2014-12-17

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成;矩形半导体硅构成基底层;与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层,绝缘层覆盖在基底层上;反射层由浓硼(或磷)扩散掺杂的单晶硅制成,尺寸同基底层,沉积在绝缘层之上;半导体桥层由浓硼(或磷)注入掺杂的多晶硅组成,形状两端宽中间窄;半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层;然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

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