一种新能源汽车动力电池柔性人机一体自动化拆解生产线

    公开(公告)号:CN113036254B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202110204766.1

    申请日:2021-02-23

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种新能源汽车动力电池柔性人机一体自动化拆解生产线。该新能源汽车动力电池拆解生产线包括伺服轨道总成以及工作工位区域。工作工位区域位于伺服轨道总成的给进方向的至少一侧,工作工位区域内设置有多个拆解设备。相比于现有技术,本发明公开的新能源汽车动力电池拆解生产线可灵活调整工位和工序,可针对不同形状、尺寸和重量的电池进行人机一体自动化拆解,解决了传统电池拆解线兼容性和高度自动化难以统一的矛盾问题,极大的增强了传统拆解生产线的兼容性和自动化程度,减轻了劳动强度、提高了拆解生产效率,并保障拆解生产的安全性。

    一种基于动态模型重构的磁流变执行器的闭环控制方法

    公开(公告)号:CN111781837A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010723748.X

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及振动控制技术领域,具体涉及一种基于动态模型重构的磁流变执行器的闭环控制方法。该方法包括阻尼力/力矩监测系统、动态模型重构模块、磁流变执行器动态模型、饱和控制器、电流驱动器和磁流变执行器;所述阻尼力/力矩监测系统用于实时监测磁流变执行器实际的阻尼力/力矩值并反馈给所述动态模型重构模块;所述动态模型重构模块根据阻尼力/力矩监测系统实时监测的磁流变执行器实际的阻尼力/力矩值在线重构所述磁流变执行器动态模型;所述饱和控制器用于利用动态模型重构模块在线重构的磁流变执行器动态模型,求出考虑控制电流/电压非对称饱和特性光滑控制律,并经由所述电流驱动器控制磁流变执行器的阻尼力/力矩。

    TMAH硅雾化气相刻蚀系统

    公开(公告)号:CN107352501A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710539774.5

    申请日:2017-07-05

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: B81C1/00539 B81C1/00619 H01L21/67075

    Abstract: 本发明公开一种TMAH硅雾化气相刻蚀系统,包括:水冷系统用于冷凝TMAH气体;刻蚀系统用于刻蚀单晶硅以及达到相关刻蚀条件,刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度高于TMAH沸点,使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀;传送系统用于传输以及清洗刻蚀硅片;雾化系统用于产生及输送TMAH液滴至刻蚀腔,通过将TMAH溶液雾化方式,提供浓度更加稳定的TMAH气体,保证刻蚀稳定性;控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、雾化系统及传送系统协调工作。该系统实现硅高速刻蚀,同时刻蚀表面较为光滑;气相刻蚀通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。该系统实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护,保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。

    海尔贝克磁环一次成型磁场压机
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118841254A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411181760.7

    申请日:2024-08-27

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及磁场压机技术领域,具体涉及一种海尔贝克磁环一次成型磁场压机,主要解决现有海尔贝克磁环加工存在的生产周期较长、难以实现高精度安装以及机械强度不可靠的技术问题。所述海尔贝克磁环一次成型磁场压机设有机架、上模机构、下模机构、安装板和励磁取向机构,励磁取向机构包括筒模以及多套励磁组件,励磁组件包括励磁框架、极柱和线圈,工作时通过多套励磁组件能够在筒模内形成高精度正弦磁场,从而配合上模机构和下模机构实现海尔贝克磁环的一次压制成型,进而能够避免现有粘接方式存在的生产周期较长、难以实现高精度安装以及机械强度不可靠的技术缺陷。

    一种基于动态模型重构的磁流变执行器的闭环控制方法

    公开(公告)号:CN111781837B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202010723748.X

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及振动控制技术领域,具体涉及一种基于动态模型重构的磁流变执行器的闭环控制方法。该方法包括阻尼力/力矩监测系统、动态模型重构模块、磁流变执行器动态模型、饱和控制器、电流驱动器和磁流变执行器;所述阻尼力/力矩监测系统用于实时监测磁流变执行器实际的阻尼力/力矩值并反馈给所述动态模型重构模块;所述动态模型重构模块根据阻尼力/力矩监测系统实时监测的磁流变执行器实际的阻尼力/力矩值在线重构所述磁流变执行器动态模型;所述饱和控制器用于利用动态模型重构模块在线重构的磁流变执行器动态模型,求出考虑控制电流/电压非对称饱和特性光滑控制律,并经由所述电流驱动器控制磁流变执行器的阻尼力/力矩。

    基于TMAH的气相刻蚀方法及气相刻蚀装置

    公开(公告)号:CN107316829B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201710544513.2

    申请日:2017-07-06

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于TMAH的气相刻蚀方法,包括:(1)、在单晶硅基片上利用热氧生长一层SiO2掩膜层薄膜;(2)、利用紫外光刻实现在基片图形化工艺;(3)、利用光刻胶做掩膜,采用体积比HF:NH4F=1:4配制BOE溶液刻蚀SiO2,丙酮洗掉光刻胶形成以SiO2为掩膜的刻蚀窗口;(4)、利用密闭且冷凝循环的刻蚀装置在磁力搅拌加热器上实现刻蚀气体的阵列结构刻蚀。该方法可突破TMAH湿法刻蚀同时实现硅结构刻蚀表面粗糙度较小,凸角保护良好,结构阵列刻蚀均匀性良好,速率稳定的技术难题,可用于微传感器、微执行器等微纳器件图形结构的加工工艺。

    基于压电效应的MEMS三维同振型矢量水听器

    公开(公告)号:CN107063438B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201710144004.0

    申请日:2017-03-10

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于压电效应的MEMS三维同振型矢量水听器,包括同振柱体振子模块以及同振球形振子模块,同振柱体振子模块包括第一框型基座、横梁、柱形聚乙烯拾振单元、中心连接体、压电薄膜、上电极以及下电极;柱形聚乙烯拾振单元固定于中心连接体上,中心连接体通过横梁连接在第一框型基座的中心处,且横梁的内外两侧均生长有压电薄膜,压电薄膜的上下两侧的对应位置均溅射有金属作为上电极和下电极;同振球形振子模块包括第二框型基座、横梁、环形连接体、球形聚乙烯拾振单元、压电薄膜以及上电极、下电极。本发明MEMS三维同振型矢量水听器具有体积小、共模输出、差模抑制的高灵敏度,宽工作频带的优点。

    一种新能源汽车动力电池柔性人机一体自动化拆解生产线

    公开(公告)号:CN113036254A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110204766.1

    申请日:2021-02-23

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种新能源汽车动力电池柔性人机一体自动化拆解生产线。该新能源汽车动力电池拆解生产线包括伺服轨道总成以及工作工位区域。工作工位区域位于伺服轨道总成的给进方向的至少一侧,工作工位区域内设置有多个拆解设备。相比于现有技术,本发明公开的新能源汽车动力电池拆解生产线可灵活调整工位和工序,可针对不同形状、尺寸和重量的电池进行人机一体自动化拆解,解决了传统电池拆解线兼容性和高度自动化难以统一的矛盾问题,极大的增强了传统拆解生产线的兼容性和自动化程度,减轻了劳动强度、提高了拆解生产效率,并保障拆解生产的安全性。

    基于压阻效应的MEMS三维同振型矢量水听器

    公开(公告)号:CN107246910B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201710450802.6

    申请日:2017-06-15

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于压阻效应的MEMS三维同振型矢量水听器,包括检测来自水平方向声信号的同振柱体振子模块和检测来自竖直方向声信号的同振球形振子模块;同振柱体振子模块主要包括框型基座、横梁、中心连接体、柱形聚乙烯拾振单元、压敏电阻;同振球形振子模块主要包括框型基座、横梁、环形连接体、球形聚乙烯拾振单元、压敏电阻。本发明设计合理,从理论出发,设计一种共模输出、差模抑制的高灵敏度,宽工作频带的MEMS三维同振型矢量水听器,与现有技术相比,本发明采用微纳加工技术,实现了三维同振型矢量水听器的微型化。

    基于TMAH的气相刻蚀方法及气相刻蚀装置

    公开(公告)号:CN107316829A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710544513.2

    申请日:2017-07-06

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: H01L21/67075

    Abstract: 本发明公开了一种基于TMAH的气相刻蚀方法,包括:(1)、在单晶硅基片上利用热氧生长一层SiO2掩膜层薄膜;(2)、利用紫外光刻实现在基片图形化工艺;(3)、利用光刻胶做掩膜,采用体积比HF:NH4F=1:4配制BOE溶液刻蚀SiO2,丙酮洗掉光刻胶形成以SiO2为掩膜的刻蚀窗口;(4)、利用密闭且冷凝循环的刻蚀装置在磁力搅拌加热器上实现刻蚀气体的阵列结构刻蚀。该方法可突破TMAH湿法刻蚀同时实现硅结构刻蚀表面粗糙度较小,凸角保护良好,结构阵列刻蚀均匀性良好,速率稳定的技术难题,可用于微传感器、微执行器等微纳器件图形结构的加工工艺。

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