-
公开(公告)号：CN114361940A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111536964.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种超表面结构调控太赫兹量子级联激光器色散的方法，在所述太赫兹量子级联激光器的谐振腔的一端形成超表面，所述超表面作为所述太赫兹量子级联激光器的谐振腔体的有效端面；所述超表面为多个亚波长单元在二维平面上排列而成；通过对所述亚波长单元的结构参数进行调整实现所述超表面在亚波长尺度下对电磁波参数进行自由调制，从而实现调节所述太赫兹量子级联激光器的腔内损耗，进而实现对色散曲线的修正。
-
公开(公告)号：CN113092072A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110223250.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种单模太赫兹量子级联激光器调谐特性表征装置，包括：太赫兹量子级联激光器光频梳，与待测可调谐单模太赫兹量子级联激光器通过光学回路实现拍频，且发出的太赫兹光束经过所述光学回路耦合进所述待测可调谐单模太赫兹量子级联激光器的谐振腔内；T型偏置器，与所述待测可调谐单模太赫兹量子级联激光器相连，用于提取所述拍频信号；频谱分析仪，与所述T型偏置器相连，用于分析所述拍频信号。本发明能够精确表征单模太赫兹量子级联激光器的调谐特性。
-
公开(公告)号：CN112326028A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011089593.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高双光梳光谱系统频率稳定性的装置，包括光学部分和电学部分，所述光学部分包括目标光频梳、参考光频梳、光学回路和混频器，所述目标光频梳与参考光频梳经过光学回路耦合在所述混频器上实现混频，产生微波双光梳；所述电学部分用于提取所述微波双光梳中的一根梳齿，并将所述梳齿进行相位锁定。本发明能够提高目标光频梳的频率稳定性，进而实现稳定的双光梳光谱系统。
-
公开(公告)号：CN109273983B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811257281.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器，包括耦合腔、直流源、T型偏置器以及RF源，该耦合腔具有短腔和长腔，其中长腔连接直流源，所述短腔通过T型偏置器和直流源相连，所述T型偏置器还与RF源相连。本发明还提供了该太赫兹量子级联激光器的光谱调制方法。本发明的太赫兹量子级联激光器采用耦合腔结构作为激光器的谐振腔，并用于太赫兹波的光谱调制中，相比于传统的Fabry‑Pérot谐振腔难以进一步提高RF注入调制效率的情况，耦合腔结构由于短腔的面积小，能够降低器件电容，从而在太赫兹量子级联激光器锁模操作时提高注入调制效率。
-
公开(公告)号：CN110854666A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911146185.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹量子级联激光器及其制作方法，所述激光器后端面垂直于激光器脊条结构长度方向，前端面和脊条结构垂直方向有一倾斜角，两个端面其中一个为解理面，另一个为研磨抛光面，这种不平行的端面导致前后端面反射率和透射率不同，从而改变激光器前后端面的出光比率，端面倾斜角小于激光器有源区全反射临界角时，激光器前端面出光功率比率更大，这种倾斜前端面结构还有利于抑制横向高阶模，适用于宽脊条、单端输出、大功率激光器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106877174B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710277857.1
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器结构及其制作方法，所述结构包括衬底、脊波导区以及三阶光栅结构；所述脊波导区自下而上依次包括下电极、夹层区及上电极；所述夹层区自下而上依次包括下接触层、有源区及上接触层；所述三阶光栅结构包括若干呈周期性排列的平行缝隙，所述缝隙上下贯穿上电极及夹层区；所述三阶光栅结构的纵向占空比范围是8%‑15%；太赫兹波在有源区内产生，并通过三阶光栅结构的选模作用，从缝隙处出射，在空间中耦合到脊波导区的纵向两端。本发明在太赫兹量子级联激光器的波导结构中引入了三阶光栅，并通过调整不同的光栅占空比以获得比较小的远场发散角，克服了三阶光栅因为相位不匹配而存在的远场发散角偏大的问题。
-
公开(公告)号：CN108917929A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810509364.0
申请日：2018-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹共焦显微成像系统，包括光源模块；数据采集模块；数据处理与图像还原模块；载物台模块，用于承载一待成像物体并其进行旋转和平移，以及将待成像物体的旋转平移二维信息发送至数据处理与图像还原模块；光路传输模块，用于将太赫兹光束沿一光路传输至数据采集模块，该光路上具有两个焦点且该光路穿过所述待成像物体；空间滤波模块，包括分别设于所述两个焦点处的针孔。本发明还提供其成像方法。本发明的成像系统避免了分束片的使用，减少了能量损耗，提高了成像信噪比，可以实现对隐匿物体的快速成像；此外，采用亚毫米针孔对太赫兹光束进行空间滤波，提高了成像的横向及纵向分辨率，最终可以得到物体的切片图像。
-
公开(公告)号：CN104538844B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510041299.X
申请日：2015-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法，至少包括：脊波导结构；脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属，提供了器件横向的散热通道，较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法，支撑基片采用硅等热导率高的材料，比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高，同时具有更大的电极面积，也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率，有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作；器件制作方法可由标准半导体工艺制作，适于工业量产。
-
公开(公告)号：CN106784132B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201611059090.7
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/109 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同)，器件具有更大的吸收层面积，因而具有更大的响应度，可以在更高入射光功率下工作，在高速高功率应用中性能提升更为明显，适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。
-
公开(公告)号：CN104767122B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510199013.0
申请日：2015-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了种单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构及制作方法,至少包括:半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、第接触层、有源区、第二接触层、第金属层及第二金属层;有源区、第二接触层及第金属层在第接触层上形成脊型结构;脊型结构的侧面相对于端面倾斜;且脊型结构由间隙结构沿长度方向分割为第子脊型结构及第二子脊型结构。通过采用斜波导结构,可以提高器件横模选择能力,在保证器件单横模光输出前提下,器件宽度更宽,减小了出射光束远场发散角,提高了光束质量同时,通过不同大小电流注入耦合腔结构THz QCL的两段波导,改变折射率,利用Vernier效应实现了波长可调谐,波长调谐范围较以往单通过电流注入改变折射率的器件结构大。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
228
records
(took 0.052 seconds)
