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公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
Abstract: 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN105742957A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610172695.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/1082
Abstract: 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104766895A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510151566.9
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构，采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子，会在禁带内产生新的杂质能带，其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2.7微米内可调，通过改变铋的浓度和相应厚度，可以吸收和转换相应波段的太阳光。与常规的采用锗作为0.67eV结太阳能电池技术方案相比，本发明可以有效减小多结太阳能电池中低能段光子能量的透射损耗和热损耗，提高太阳能转换效率。
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公开(公告)号：CN103700660A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310676287.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够更好的满足10nm以下技术节点对器件性能提出的更高要求。
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公开(公告)号：CN102540475A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101741011A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200647.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊接。利用本发明所涉及的封装方法可以实现半导体激光器芯片的铟焊料封装，使得激光器可以稳定工作在宽温区环境下，有利于推动激光器在宽温区环境下的应用。本发明所涉及的封装方法实施过程简单，所设计的夹具结构简单，便于加工，因此本发明方法容易推广，利用激光器芯片封装的产业化。
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公开(公告)号：CN105742957B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610172695.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106744657B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
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公开(公告)号：CN104851932A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510149341.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期的60％以上的光电转换效率。铋原子引起的杂质能带在室温下有很强的光致发光，证明材料内非辐射复合较少，有利于制作太阳能器件。这种新型中间带太阳能电池结构可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。与常规的采用量子点作为中间带的技术方案相比，在本发明的电池结构中应变较小，容易补偿或调控，从而增加吸收区厚度以达到对相应波段太阳光的充分吸收，提高转换效率。
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公开(公告)号：CN102540475B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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