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公开(公告)号：CN104851932A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510149341.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期的60％以上的光电转换效率。铋原子引起的杂质能带在室温下有很强的光致发光，证明材料内非辐射复合较少，有利于制作太阳能器件。这种新型中间带太阳能电池结构可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。与常规的采用量子点作为中间带的技术方案相比，在本发明的电池结构中应变较小，容易补偿或调控，从而增加吸收区厚度以达到对相应波段太阳光的充分吸收，提高转换效率。
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公开(公告)号：CN107039884A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/341
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
Abstract: 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN104766895A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510151566.9
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构，采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子，会在禁带内产生新的杂质能带，其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2.7微米内可调，通过改变铋的浓度和相应厚度，可以吸收和转换相应波段的太阳光。与常规的采用锗作为0.67eV结太阳能电池技术方案相比，本发明可以有效减小多结太阳能电池中低能段光子能量的透射损耗和热损耗，提高太阳能转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105951055B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103794693A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410052014.8
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/30 , G01N21/45 , G01N2021/451 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT系统与现有技术相比，轴向分辨率提高4-6倍，在医学诊断上具有良好的应用前景。基于InPBi材料的发光二极管结构简单，可以通过分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种成熟的材料工艺进行生长；器件制备工艺简单成熟，易控制。因此利用本发明可以有效克服现有相关相干成像系统现有技术的局限，而且工艺简单、成熟、可控，具有极高的产业价值。
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公开(公告)号：CN103779457A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410052172.3
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/305 , C23C16/301 , C23C16/44 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02581
Abstract: 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％时，其室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.3-2.7μm，半峰宽达到650nm。本发明报道的InPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN107039884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN104851932B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510149341.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期的60％以上的光电转换效率。铋原子引起的杂质能带在室温下有很强的光致发光，证明材料内非辐射复合较少，有利于制作太阳能器件。这种新型中间带太阳能电池结构可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。与常规的采用量子点作为中间带的技术方案相比，在本发明的电池结构中应变较小，容易补偿或调控，从而增加吸收区厚度以达到对相应波段太阳光的充分吸收，提高转换效率。
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