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公开(公告)号：CN107039884A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/341
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN103830847B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN106744657A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C1/00349 , B81C1/00373
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
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公开(公告)号：CN104062575B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN100405681C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610030991.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调，精度可控的光栅结构。
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公开(公告)号：CN105951055B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103794693A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410052014.8
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/30 , G01N21/45 , G01N2021/451 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT系统与现有技术相比，轴向分辨率提高4-6倍，在医学诊断上具有良好的应用前景。基于InPBi材料的发光二极管结构简单，可以通过分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种成熟的材料工艺进行生长；器件制备工艺简单成熟，易控制。因此利用本发明可以有效克服现有相关相干成像系统现有技术的局限，而且工艺简单、成熟、可控，具有极高的产业价值。
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公开(公告)号：CN103715195A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310736928.1
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/285 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。
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公开(公告)号：CN102593718B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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