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实用新型
多区加热装置、下电极组件及等离子处理装置有权

公开(公告)号：CN214279903U

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202022591042.0

申请日：2020-11-11

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 谢林 , 杜杰

IPC: H01J37/32 , H01L21/67

Abstract: 一种多区加热装置、下电极组件、及等离子处理装置，其中，所述多区加热装置包括：多个加热片；多个开关，每个开关连接一加热片并形成一加热单元；多个所述加热单元的两端分别连接一接地总线和一供电总线；多个控制信号线，每个控制信号线与一开关相连，用于输送所述开关工作占空比的控制信号，所述开关分别根据所述控制信号独立控制与之连接的所述加热片的工作时间。所述多区加热装置能够集成到等离子处理装置中的静电夹盘与基座之间，且能够减少外接导电线以减少滤波器的需求。

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