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公开(公告)号：CN111211029B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201811391849.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子反应器，包括：反应腔体，反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；一射频电源输出射频功率到反应腔体内；基座中包括一静电夹盘，静电夹盘中包括一加热器组，加热器组中包括多个加热模块，其中加热模块包括串联的一个加热器和一个电子开关，所述加热模块中的加热器连接到加热电源或者接地端之一，电子开关连接到加热电源或接地端中的另一端；一加热控制器包括一接收端用于接收温度控制信号，还包括一驱动信号输出端连接到所述电子开关，用于输出所述电子开关的驱动信号；所述加热控制器中还包括至少一光电驱动电路，使得所述加热控制器的接收端与所述驱动信号输出端之间互相电隔离。
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公开(公告)号：CN111326388B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201811544976.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器，将各电加热单元分别与各可控加热开关单元串联形成多个电加热支路，通过不同的开关控制单元控制每个可控加热开关单元的开启状态，从而，实现各电加热支路的分别控制，从而，通过分别控制不同分区中的电加热支路，实现基片多分区温度的精确控制。同时，将电加热单元、可控加热单元以及开关控制单元或者将电加热单元与可控加热单元、可控加热单元分别层叠设置于不同的层中，可以在处理腔室中极小的空间内实现基片温度精确控制的加热装置，且易于工业实现。
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公开(公告)号：CN107331595B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610277839.9
申请日：2016-04-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置的温度校准方法，等离子处理装置内包括加热器，加热器内包括多个可控独立加热区，所述温度校准方法包括：等离子处理步骤，点燃反应腔内的等离子体对基片进行处理，同时热成像装置停止工作；在温度校准步骤中，熄灭等离子体，热成像装置对整个基片上表面的温度进行探测并获得基片表面温度分布，温度控制器比较目标工艺温度分布数据与探测获得的基片表面温度分布数据，根据比较结果控制加热驱动电路，使得基片表面温度分布符合目标工艺温度分布。
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公开(公告)号：CN114496693A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011253024.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法，其中，所述多区加热装置包括：多个加热片；多个开关，每个开关连接一加热片并形成一加热单元；多个所述加热单元的两端分别连接一接地总线和一供电总线；多个控制信号线，每个控制信号线与一开关相连，用于输送所述开关工作占空比的控制信号，所述开关分别根据所述控制信号独立控制与之连接的所述加热片的工作时间。所述多区加热装置能够集成到等离子处理装置中的静电夹盘与基座之间，且能够减少外接导电线以减少滤波器的需求。
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公开(公告)号：CN111211029A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811391849.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子反应器，包括：反应腔体，反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；一射频电源输出射频功率到反应腔体内；基座中包括一静电夹盘，静电夹盘中包括一加热器组，加热器组中包括多个加热模块，其中加热模块包括串联的一个加热器和一个电子开关，所述加热模块中的加热器连接到加热电源或者接地端之一，电子开关连接到加热电源或接地端中的另一端；一加热控制器包括一接收端用于接收温度控制信号，还包括一驱动信号输出端连接到所述电子开关，用于输出所述电子开关的驱动信号；所述加热控制器中还包括至少一光电驱动电路，使得所述加热控制器的接收端与所述驱动信号输出端之间互相电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326388A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811544976.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器，将各电加热单元分别与各可控加热开关单元串联形成多个电加热支路，通过不同的开关控制单元控制每个可控加热开关单元的开启状态，从而，实现各电加热支路的分别控制，从而，通过分别控制不同分区中的电加热支路，实现基片多分区温度的精确控制。同时，将电加热单元、可控加热单元以及开关控制单元或者将电加热单元与可控加热单元、可控加热单元分别层叠设置于不同的层中，可以在处理腔室中极小的空间内实现基片温度精确控制的加热装置，且易于工业实现。
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公开(公告)号：CN118156110A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211558358.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶圆边缘处理装置，其包括反应腔，反应腔内设有下电极组件和上电极组件；下电极组件包括下边缘环和基座，上电极组件包括上边缘环和上盖板；待测件为校准晶圆或待处理晶圆，待测件包括第一待测件，待测件的边缘区域位于上边缘环和下边缘环之间；晶圆边缘处理装置还包括：设置在上电极组件中的第一组传感器，第一组传感器包括至少三个沿上电极组件的周向间隔排布的传感器，用于测量第一组传感器与第一待测件之间的第一距离；计算单元，其基于第一组传感器的测量结果判断第一待测件与上边缘环是否平行，当平行时，第一组传感器测得的多个第一距离值的两两差值均小于第一预设阈值。本发明还提供一种晶圆边缘处理装置的操作方法。
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公开(公告)号：CN118053724A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211406956.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 一种半导体处理设备，包含对准调节装置，所述对准调节装置包含至少一个驱动单元，所述驱动单元包含固定部和移动部，所述固定部与上电极组件连接，所述移动部与设置于所述上电极组件的等离子体区域限制环或等离子体区域限制板或上电极环连接，所述移动部可相对于所述固定部在平行于所述基片所在的平面内移动。本发明采用对准调节装置来精准调节等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环的位置，使等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环与基片或下电极组件实现对准，确保边缘刻蚀的精度。
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公开(公告)号：CN111383894B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201811636389.3
申请日：2018-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种等离子处理器以及静电夹盘加热方法，反应腔内包括支撑基片的基座，射频电源连接并供应射频功率到基座，基座上包括静电夹盘和用于控制静电夹盘温度的加热系统，加热系统包括多个加热器分别用于控制静电夹盘不同区域的温度，加热系统包含：多区加热器，其包含若干个加热器；加热器驱动器，用于驱动多个加热器；控制加热器驱动器以实现控制多区加热器的功率输出进行加热的控制器，与加热器驱动器连接；控制器与主机通信连接，获取主机的指令或反馈指令给主机，实现对加热系统的控制。本发明可减少不必要的射频滤波器，便于配置设计，结构简单，小尺寸可以在满足功能的基础上，还能减轻了设计上对空间的需求。
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公开(公告)号：CN111383894A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811636389.3
申请日：2018-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种等离子处理器以及静电夹盘加热方法，反应腔内包括支撑基片的基座，射频电源连接并供应射频功率到基座，基座上包括静电夹盘和用于控制静电夹盘温度的加热系统，加热系统包括多个加热器分别用于控制静电夹盘不同区域的温度，加热系统包含：多区加热器，其包含若干个加热器；加热器驱动器，用于驱动多个加热器；控制加热器驱动器以实现控制多区加热器的功率输出进行加热的控制器，与加热器驱动器连接；控制器与主机通信连接，获取主机的指令或反馈指令给主机，实现对加热系统的控制。本发明可减少不必要的射频滤波器，便于配置设计，结构简单，小尺寸可以在满足功能的基础上，还能减轻了设计上对空间的需求。
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