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公开(公告)号：CN119517722B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510098695.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法，在通过第一偏压电源将第一直流脉冲电压耦合到聚焦环的第一电路中，串联第一电容，通过第一电容的容值来调整聚焦环电压变化时对应的第一斜率，从而减少基片与聚焦环之间的电压差，有效降低基片与聚焦环之间发生电弧放电的风险。
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公开(公告)号：CN116083884B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111303921.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种加热组件、热处理设备及基片处理方法，所述加热组件其用于热处理设备，热处理设备包括处理腔、基座和基座支撑臂，基座和基座支撑臂设置在处理腔内，基座用于承载基片，加热组件用于加热所述基片，包括：支撑件，呈矩阵式分布在支撑件上的若干个加热单元，每一个加热单元在基片所在的平面上对应形成一个加热区；控制装置，其与每一个加热单元连接，用于独立控制每一个加热单元；加热区包括随着基座支撑臂的转动而同步变化的低温区；热补偿区，其与低温区实时同步变化，用于补偿低温区的温度。本发明提高了基片表面的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN113410113B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010187524.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理模块及前端模块，处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体，反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间，反应腔的下方设置有基座，基座上方为等离子体处理区域；前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体，洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间，洁净腔的下方设置有承载台，承载台的上方设置有风机过滤单元；进一步包括气体调节器，气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气，气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
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公开(公告)号：CN119694869A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311239985.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种边缘刻蚀设备，包括：反应腔；基座，设置于所述反应腔的内部底部，用于承载晶圆；上遮挡部，设置于所述反应腔的内部顶部；下限制环，围绕所述基座设置；以及上限制环，围绕所述上遮挡部设置；所述上限制环和所述下限制环配合以在所述晶圆的边缘区域形成等离子体反应空间；且所述上限制环上设有朝向所述等离子体反应空间的第一缺口。本发明中第一缺口的设置可以有效增加等离子体反应空间的容积，从而使得等离子体反应空间内可以容纳更多的工艺气体，进而在对工艺气体电离后产生更多的等离子体，以大幅度地提高晶圆边缘区域的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN119588591A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311160758.7
申请日：2023-09-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于气体喷淋头的耐等离子体腐蚀涂层的形成方法，包括以下步骤：提供一气体喷淋头，其设置有若干贯通所述气体喷淋头的正面和背面的气孔；所述气孔内壁覆盖设置有阳极氧化层；采用二氧化硅溶胶凝胶法在所述气孔内壁的阳极氧化层上形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行热处理，得到具有氢键钝化表面的二氧化硅阻挡层；在所述气体喷淋头的正面形成耐等离子体腐蚀涂层；去除所述二氧化硅阻挡层。本发明通过二氧化硅阻挡层抵抗后续陶瓷沉积物对气孔内壁的黏附，隔绝陶瓷沉积物落入气孔内壁；当采用湿法刻蚀去掉二氧化硅阻挡层时，一并去除了少量黏附在二氧化硅阻挡层表面的陶瓷沉积物，进一步避免疏松的陶瓷沉积物在气孔内壁形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119491967A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311023389.7
申请日：2023-08-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种前级管道组件及半导体处理装置，其涉及半导体技术领域。该前级管道组件，用于对两个腔室的处理模块进行排气，该前级管道组件包括：两个进气口，各进气口能够与各所述腔室的抽气口匹配连通；两路排气管道，两路所述排气管道的一端分别配置所述进气口，并且两路所述排气管道的走向一致以使其中的流体的流动方向一致；三通单元，包括两个流入端口和一个流出端口；两路连接管道，两路所述连接管道的一端分别与两路所述排气管道连接，另一端分别与所述三通单元的两个所述流入端口连接，并且所述三通单元的所述流出端口能够连通至排气装置。本发明通过使与两个腔室的各抽气口匹配安装的前级管道组件的排气管道走向一致来提升衬底处理的一致性。
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公开(公告)号：CN119446906A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310969082.X
申请日：2023-08-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/223 , H10D62/85 , H10D62/854
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体的形成方法包括一反应器和一衬底，所述反应器包含反应区域和与反应区域相连通的第一气体分布腔和第二气体分布腔，通过第一气体分布腔向反应区域内通入第一反应气体，通过第二气体分布腔向反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在衬底上进行P型层生长；所述第一反应气体至少包含V族前驱物和第一载气，所述第二反应气体至少包含P型掺杂前驱物、III族前驱物和第二载气。本发明通过调节第二载气相对于第一反应气体的相对流速或相对密度，使得第二反应气体传输速度更快，传输方向不易改变，P型层中P型掺杂离子的掺杂浓度提升，掺杂更均匀，进而提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN119426243A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411474501.3
申请日：2024-10-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洁半导体零部件的装置及方法，所述装置至少包含：第一容器，所述第一容器用于盛放液体二氧化碳；第二容器，所述第二容器用于盛放增强清洗剂；控制单元；增压计量泵；所述第一容器通过第一管路与所述控制单元相连通；所述第二容器通过第二管路与所述控制单元相连通；所述增压计量泵设于所述第二管路上；所述液体二氧化碳和所述增强清洗剂在所述控制单元中形成的混合物通过第三管路及清洗喷嘴喷射到半导体零部件的表面，对所述半导体零部件进行清洁。利用该方法可以对半导体零部件上的颗粒污染物进行高效清洁，从而提升芯片产品良率。
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公开(公告)号：CN119170474B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411668534.1
申请日：2024-11-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：反应腔；气体喷淋头，设于所述反应腔的顶部；下电极组件，设于所述反应腔内的底部，所述下电极组件与所述气体喷淋头相对设置；导电的移动环，设于所述气体喷淋头的外围，可上下移动；接地的等离子体约束环，设于所述下电极组件的外围；导电垫片，设于所述等离子体约束环与移动环之间，当所述移动环向下移动至工艺位置时，所述移动环通过所述导电垫片与等离子体约束环电连接接地。所述等离子体处理装置，有利于降低移动环表面聚合物的沉积。
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公开(公告)号：CN114914142B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110172207.7
申请日：2021-02-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，且二者相互配合形成第二气体通道，所述第二气体通道与第一气体通道相互连通，用于向待处理基片的背面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度，其中，所述第二气体通道为非直线。所述下电极组件有利于降低静电夹盘发生点火放电。
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