公开(公告)号：CN113462333A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110304086.7

申请日：2021-03-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤原正和

IPC: C09J163/00 ,  C09J9/02 ,  H01L23/482

Abstract: 本发明提供一种光透过性优异的各向异性导电性树脂组合物，该各向异性导电性树脂组合物包括(A)有机硅改性环氧树脂、(B)固化剂以及(C)导电性粒子，所述(A)有机硅改性环氧树脂具有由下述通式(1)表示的结构，通式(1)中的R1、R2、Y、a、b和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN113462122A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110304100.3

申请日：2021-03-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤原正和

IPC: C08L63/00 ,  C08L83/10 ,  C08L27/12 ,  C08L101/00 ,  C08K3/08 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  C09J183/10 ,  C09J201/04 ,  G09F9/33 ,  C08G77/442 ,  C08G77/388

Abstract: 本发明提供光透过性优异的各向异性导电性树脂组合物，该各向异性导电性树脂组合物包括(A)有机硅改性环氧树脂、(B)固化剂、(C)导电性粒子以及(D)含氟聚合物，所述(A)有机硅改性环氧树脂具有由下述通式(1)表示的结构，通式(1)中的R1、R2、Y、a、b和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN110352477A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880014594.8

申请日：2018-01-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤原正和

IPC: H01L21/52 ,  B22F1/00 ,  B22F7/06 ,  B22F7/08

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：涂布工序，将含有热固性树脂和表面具有有机化合物保护层的平均粒径为10～200nm的银微粒的粘接用树脂组合物涂布在半导体元件支撑部件上；半烧结工序，在比热固性树脂的反应起始温度低且在50℃以上的温度条件下，对涂布的粘接用树脂组合物进行加热以使银微粒成为半烧结状态；接合工序，在含有半烧结状态的银微粒的粘接用树脂组合物上载置半导体元件，在无加压状态下，在比热固性树脂的反应开始温度高的温度条件下，进行加热，将半导体元件接合在半导体支撑部件上。

公开(公告)号：CN109952356A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201680090744.4

申请日：2016-11-10

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤原正和 ,  福川弘

IPC: C09J179/04 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  H01B1/22 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明涉及一种具备优异热传导性和导电性、最适合于功率半导体元件与元件支撑构件间接合的半导体粘接用树脂组合物。本发明的半导体粘接用树脂组合物包含：(A)主链具有脂肪族烃基的双马来酰亚胺树脂、(B)固化剂、(C)比重为1.1～5.0的包含导电性粒子的填充材料、(D)平均粒子直径为10～300nm的银微粒。也提供了使用该半导体粘接用树脂组合物制备的半导体粘接用片、以及使用该半导体粘接用片对半导体进行接合而形成的半导体装置。