半导体装置的制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110352477B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201880014594.8

    申请日:2018-01-15

    Inventor: 藤原正和

    Abstract: 一种半导体装置的制造方法,其具有以下工序:涂布工序,将含有热固性树脂和表面具有有机化合物保护层的平均粒径为10~200nm的银微粒的粘接用树脂组合物涂布在半导体元件支撑部件上;半烧结工序,在比热固性树脂的反应起始温度低且在50℃以上的温度条件下,对涂布的粘接用树脂组合物进行加热以使银微粒成为半烧结状态;接合工序,在含有半烧结状态的银微粒的粘接用树脂组合物上载置半导体元件,在无加压状态下,在比热固性树脂的反应开始温度高的温度条件下,进行加热,将半导体元件接合在半导体支撑部件上。

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