公开(公告)号：CN102017080A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114395.5

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。

公开(公告)号：CN101473075A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780023255.8

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供了AlxGa1－xN晶体生长方法以及AlxGa1－xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1－xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1－xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1－xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1－xN晶体10，以减少AlxGa1－xN晶体10中的位错。

公开(公告)号：CN1716545A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510082192.6

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN109477230A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044128.X

申请日：2017-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 森内清晃 ,  中幡英章 ,  长谷川胜哉

IPC: C25B1/02 ,  C25B9/00

Abstract: 本发明提供一种电解液，其中周期表第五周期中第1至8族元素的离子及第13至16族元素的离子和周期表第六周期中第1、2和4至8族元素的离子及第13至15族元素的离子的总浓度大于610mg/L，这些离子是与气体的产生相关的添加元素离子。

公开(公告)号：CN104584236B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480002218.9

申请日：2014-03-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  岩崎孝 ,  鸟谷和正 ,  齐藤健司 ,  弘津研一 ,  中幡英章

IPC: H01L31/054

CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0512 ,  H01L31/0543 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种聚光光伏模块(1M)，设有：由金属构成的器皿形壳体(11)；和柔性印刷线路板(12)，其设置为与壳体(11)的内表面接触。柔性印刷线路板(12)具有绝缘层(124)、绝缘基板(121a)、图案(121b)、多个发电元件(122)和绝缘层(126)。绝缘层(124)与壳体(11)的底面(11a)接触。绝缘基板(121a)设置在绝缘层(124)上，并且具有挠性。图案(121b)由导体构成，并且设置在所述绝缘基板(121a)上。多个发电元件(122)安装在图案(121b)上。绝缘层(126)设置为覆盖图案(121b)的除安装有发电元件(122)的部分以外的整个表面。

公开(公告)号：CN101970708B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN102326231B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080008691.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  中幡英章 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

公开(公告)号：CN101842524B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880012096.6

申请日：2008-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  宫永伦正 ,  中幡英章 ,  山本喜之

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。

公开(公告)号：CN102959736A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN102016135B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。