公开(公告)号：CN102549715A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080042620.1

申请日：2010-09-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  H01L21/02002 ,  Y10T428/192

Abstract: 一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。

公开(公告)号：CN102511074A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201180003852.0

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  井上博挥 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  堀井拓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种能够降低制造成本的用于制造碳化硅衬底的方法，该方法包括下列步骤：准备基底衬底(10)和SiC衬底(20)；通过在彼此的顶部上放置基底衬底(10)和SiC衬底(20)来制造层叠衬底；通过加热接合衬底来制作接合衬底(3)；通过加热接合衬底(3)使基底衬底(10)的温度高于SiC衬底(20)的温度而使在接合界面(15)处形成的空洞(30)在接合衬底(3)的厚度方向上移动；以及通过去除在与SiC衬底(20)相反侧上包括主要衬底(10B)的基底衬底(10)的区域来去除空洞(30)。

公开(公告)号：CN104661911A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201480002476.7

申请日：2014-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田龙儿 ,  宫武健一郎

IPC: B63B13/00 ,  B01D29/07 ,  B01D29/62 ,  B01D29/66 ,  C02F1/32 ,  B01D24/46 ,  B01D33/06 ,  B01D33/44 ,  B01D33/58

CPC classification number: C02F1/32 ,  B01D29/6438 ,  B63J4/002 ,  C02F1/004 ,  C02F1/325 ,  C02F2103/008 ,  C02F2103/08 ,  C02F2201/32 ,  C02F2201/326 ,  C02F2209/006 ,  C02F2209/40 ,  C02F2301/043 ,  C02F2303/04

Abstract: 本发明公开了一种压载水处理设备，其配备有：过滤装置，其包括用于过滤海水的过滤器；紫外线照射装置，其用紫外光照射已被过滤器过滤的海水；第一路径，其用于将已被过滤装置过滤的海水供应至紫外线照射装置；排水路径，其用于排出残留在过滤装置中的海水；第一阀门，其设置在第一路径中；第二路径，其用于将从紫外线照射装置排出的海水供应至压载罐；以及控制装置，在已被过滤装置过滤的海水供应至紫外线照射装置之前，控制装置关闭第一阀门，并且使用引入到过滤装置中的海水清洗过滤器。

公开(公告)号：CN102869817A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201280001235.1

申请日：2012-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田真 ,  堀勉 ,  藤原伸介

IPC: C30B33/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7827

Abstract: 第一单晶衬底（11）具有第一侧表面且由碳化硅构成。第二单晶衬底（12）具有与第一侧表面相对的第二侧表面且由碳化硅构成。接合部（BD），在第一和第二侧表面之间，使第一和第二侧表面彼此连接且由碳化硅构成。接合部的至少一部分具有多晶结构。因此，可以提供一种能够以高产量制造半导体器件的大尺寸碳化硅衬底。

公开(公告)号：CN102741973A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080045944.0

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底(1)，其即使在由除了碳化硅之外的材料制成的不同类型材料层的情况下也实现抑制翘曲，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅制成的基础层(10)；以及当在平面视图中看时并排地布置在基础层(10)上并且每个均由单晶碳化硅制成的多个SiC层(20)。间隙(60)形成在相邻的SiC层(20)的端表面(20B)之间。

公开(公告)号：CN102598213A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004456.X

申请日：2011-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/7602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 执行准备堆叠体（TX）的步骤，将第一单晶衬底组（10a）中的每个单晶衬底和第一基本衬底（30a）安置成彼此面对面，将第二单晶衬底组（10b）中的每个单晶衬底和第二基本衬底（30b）安置成彼此面对面，并且在一个方向上按顺序堆叠第一单晶衬底组（10a）、第一基本衬底（30a）、插入部（60X）、第二单晶衬底组（10b）和第二基本衬底（30b）。接下来，加热堆叠体（TX），使堆叠体（TX）的温度达到碳化硅能够升华的温度，以在堆叠体（TX）中形成其温度在所述方向上逐渐增加的温度梯度。通过这种方式，可以高效地制造碳化硅衬底（81）。

公开(公告)号：CN102484044A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003376.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本。所述过程包括如下步骤：提供包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；将SiC衬底(20)放置在容器(70)中，并且将基底衬底(10)放置在容器(70)中，使得基底衬底(10)面对所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)；以及将在容器(70)中所述基底衬底(10)加热至大于或等于构成所述基底衬底(10)的碳化硅的升华温度的温度范围，以由此形成包括碳化硅的基底层(10)，使得基底衬底(10)接触所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)。在形成基底层(10)的步骤中，与所述SiC衬底(20)和所述基底衬底(10)不同的、包括含有硅的物质的硅产生源(91)放置在所述容器(70)中。

公开(公告)号：CN102471928A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080025658.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1608

Abstract: 由碳化硅制成的支撑部(30c)在其主面(FO)的至少一部分上具有凹凸起伏。堆叠支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得由碳化硅制成的至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)和具有形成的凹凸起伏的支撑部(30c)的主面(FO)彼此接触。为了接合至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)与支撑部(30c)，加热支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得支撑部(30c)的温度超过碳化硅的升华温度，并且至少一个单晶衬底(11)中的每个的温度低于上述支撑部(30c)的温度。

公开(公告)号：CN102395715A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016844.5

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/06

Abstract: 准备至少一个单晶衬底(11)和支撑部(30)，每个单晶衬底具有背面(B1)并且由碳化硅制成，所述支撑部具有主面(FO)并且由碳化硅制成。在这个准备步骤中，通过机械加工来形成所述背面(B1)和所述主面(FO)中的至少一个。通过这个形成步骤，在所述背面(B1)和所述主面(FO)中的至少一个上形成具有晶体结构变形的表面层。至少部分地去除所述表面层。在这个去除步骤之后，将所述背面(B1)和所述主面(FO)彼此连接。