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公开(公告)号：CN102017079B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980114047.8
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/28 , C30B29/36 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/36 , C23C4/185 , C23C16/34 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。
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公开(公告)号：CN102084040A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125962.7
申请日：2009-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B3/00 , G02B13/143 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。
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公开(公告)号：CN102084039A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN102017080A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114395.5
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/28 , C30B29/36 , C30B29/38
CPC classification number: H01L29/267 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。
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公开(公告)号：CN102159755B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080002639.3
申请日：2010-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102084039B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN103155102A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003355.5
申请日：2012-02-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02104 , H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种具有保护膜的复合衬底(2Q)，其包含支持衬底(10)、布置在所述支持衬底(10)上的氧化物膜(20)、布置在所述氧化物膜(20)上的半导体层(30a)、和保护膜(40)，所述保护膜(40)通过覆盖作为所述氧化物膜(20)的一部分且未被所述支持衬底(10)和所述半导体层(30a)覆盖的部分(20s、20t)来保护所述氧化物膜(20)。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的步骤；和在所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的所述半导体层(30a)上外延生长至少一层功能半导体层的步骤，所述至少一层功能半导体层使得呈现半导体器件的必要功能。由此，提供了一种具有保护膜的复合衬底，其具有其中可以外延生长高品质功能半导体层的大的有效区域；和一种制造半导体器件的方法，其中使用所述具有保护膜的复合衬底。
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公开(公告)号：CN102465343A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110359911.X
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲而不会在衬底中产生裂纹的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN102465342A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110358558.3
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN102105835A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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