公开(公告)号：CN104995739B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480008928.2

申请日：2014-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田俊介 ,  堀井拓 ,  木岛正贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。

公开(公告)号：CN104126218B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380010425.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2221/68381

Abstract: 准备由碳化硅制成的单晶衬底(11)以及比单晶衬底(11)中的每一个大的第一支撑衬底(31)。单晶衬底(11)接合在第一支撑衬底(31)上。使已经接合至第一支撑衬底(31)的单晶衬底(11)经历加工。移除第一支撑衬底(31)。单晶衬底(11)被热处理。单晶衬底(11)接合至比单晶衬底(11)大的第二支撑衬底(32)上。使接合至第二支撑衬底(32)的单晶衬底(11)经历加工。

公开(公告)号：CN105580112A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053019.0

申请日：2014-08-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  石田智章

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/045 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/049 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/872

Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括：步骤(S1)，制备碳化硅衬底(100)，所述碳化硅衬底(100)具有第一主表面(P1)和位于第一主表面(P1)的相反侧的第二主表面(P2)；步骤(S2)，通过利用杂质掺杂第一主表面(P1)在碳化硅衬底(100)中形成掺杂区域；步骤(S3)，在第一主表面(P1)处的掺杂区域上形成第一保护膜(10)；和步骤(S5)，在已经形成的第一保护膜(10)的情况下通过退火激活在掺杂区域中包含的杂质，形成第一保护膜(10)的步骤(S3)包括在第一主表面(P1)上布置如下材料的步骤，所述材料将会形成第一保护膜(10)且其中金属元素的浓度小于或等于5μg/kg。

公开(公告)号：CN105453220A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043442.2

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底，包括：具有外径不小于100mm的主表面且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；以及形成在主表面(1A)上的外延层(2)。碳化硅半导体衬底(10)当衬底温度为室温时具有不小于-100μm且不大于100μm的翘曲量，并且在衬底温度为400℃时具有不小于-1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN102422397A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200980159180.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。

公开(公告)号：CN102119443A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131020.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。

公开(公告)号：CN101569014A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001214.3

申请日：2008-08-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212

Abstract: 一种肖特基势垒二极管(1)，包括：GaN自支撑衬底(2)，其具有表面(2a)；GaN外延层(3)，其形成在表面(2a)上；以及绝缘层(4)，其形成在GaN外延层(3)的表面(3a)上，并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管(1)还提供有电极(5)。电极(5)由肖特基电极和场板电极构成，所述肖特基电极被形成在开口内，以使其与GaN外延层(3)接触，所述场板电极连接到肖特基电极并且被形成为与绝缘层(4)重叠。GaN自支撑衬底(2)的位错密度是1×108cm－2或更少。

公开(公告)号：CN107833829B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711098415.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体衬底，包括：基础衬底，所述基础衬底具有主表面，并且由单晶碳化硅制成，所述主表面具有不小于125mm的外径；以及外延层，所述外延层形成在所述主表面上；当衬底温度为室温时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑100μm且不大于100μm的翘曲量，并且当衬底温度为400℃时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN105706221B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201480061004.9

申请日：2014-09-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  增田健良 ,  滨岛大辅 ,  田中聪 ,  木村真二 ,  小林正幸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加‑5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107833829A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711098415.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体衬底，包括：基础衬底，所述基础衬底具有主表面，并且由单晶碳化硅制成，所述主表面具有不小于125mm的外径；以及外延层，所述外延层形成在所述主表面上；当衬底温度为室温时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于-100μm且不大于100μm的翘曲量，并且当衬底温度为400℃时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于-1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。